💻 四、ADC模块在电路中的存在形式与主控(MCU)的关系
这是电子工程师必须彻底理解的要点!ADC 的存在形式主要有三种:
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独立ADC芯片 (Discrete ADC IC):
- 存在形式: 一个单独的物理芯片 (如 TI ADS1248, ADI AD7799)。
- 与MCU关系:
- ADC芯片完成模拟信号采样、保持、量化、编码的全部工作。
- MCU 通过数字通信接口 (SPI, I2C, Parallel) 向 ADC 发送控制命令 (启动转换、选择通道、设置增益/速率) 并读取转换结果 (
D_out
)。 - 本质: MCU 是 Master (主设备) ,ADC 是 Slave (从设备) 。MCU 调度和控制 ADC 的工作。
- 优点: 性能通常很高(分辨率、速度、噪声),设计灵活,可与不同MCU搭配。
- 缺点: 增加BOM成本和PCB面积。
- 应用: 高精度测量系统(电子秤、万用表、医疗设备)。
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集成在MCU内部的ADC (MCU with Embedded ADC):
- 存在形式: ADC 作为 MCU 芯片内部的一个功能模块 (Peripheral)。(如 STM32F4 的 12-bit ADC, ESP32 的 12-bit SAR ADC)。
- 与MCU关系:
- ADC模块物理上在MCU芯片内部,但逻辑上仍是一个相对独立的单元。
- MCU 内核通过内部总线 访问 ADC 的控制寄存器 (配置通道、采样时间、分辨率、触发源等) 和数据寄存器 (读取
D_out
)。 - ADC 转换可由软件触发、定时器触发或外部事件触发。
- 转换完成通常产生中断通知MCU内核读取数据。
- 本质: MCU 内核通过寄存器编程 来 配置、启动、控制 其内部的 ADC 模块工作,并读取结果。内核是"大脑",ADC是受控的"感官器官"。
- 优点: 成本低、体积小、集成度高、易于开发(厂商提供库函数)。
- 缺点: 性能通常低于高端独立ADC(噪声、线性度、输入阻抗)。
- 应用: 绝大多数嵌入式系统(消费电子、物联网设备、工控从站)。
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模拟前端芯片 (AFE) 集成ADC:
- 存在形式: 一个芯片内部集成了信号调理电路 (PGA, Filter) + ADC + 数字接口。 (如 TI ADS129x - ECG AFE, ADI AD7124 - 低功耗AFE)。
- 与MCU关系:
- AFE 完成从模拟信号输入 到数字输出的全部过程。
- MCU 通过 SPI/I2C 配置AFE参数 并读取转换后的数字数据。
- 本质: 类似独立ADC,但功能更强(集成调理)。MCU 仍是 Master,AFE是 Slave。
- 优点: 简化设计,提高模拟性能,降低噪声。
- 缺点: 成本相对较高。
- 应用: 对模拟性能要求高的专业领域(生物电测量、精密工业传感)。
✅ 关键结论:
- ADC 永不"脱离"主控模块 (MCU): 无论 ADC 是独立芯片、集成在 MCU 内部,还是集成在 AFE 中,它必须 由 MCU (或更复杂的处理器如 FPGA/DSP) 来配置参数、启动转换、读取结果。没有控制器的调度,ADC 无法独立工作(除非是最简单的连续转换模式,数据仍需被读取)。
- MCU 是"指挥官": 你"本能地想使用主控模块调度、控制、使用ADC模块"是完全正确且深刻的工程直觉!这正是嵌入式系统的核心工作模式:MCU 协调管理所有外设(包括ADC),执行核心算法。
🧱 五、压阻式压力传感器的本质
✅ 你的理解完全正确!
- 核心: 压阻式压力传感器本质是利用了具有"压阻效应"的"压敏材料"作为其传感元件。
- "压敏材料"具体指:
- 金属应变片 (Foil Strain Gauge): 最常用。康铜、卡玛合金等。电阻变化主要由几何尺寸变化 (
ΔL/L, ΔA/A
) 引起,压阻效应(电阻率ρ
变化)贡献小(约20%)。优点是稳定、线性好、成本低。 - 半导体应变片 (Semiconductor Strain Gauge): 硅、锗等。电阻变化主要由压阻效应(
Δρ/ρ
很大) 引起,灵敏度比金属片高50-100倍!但对温度敏感,需要补偿。 - MEMS压阻传感器: 在硅片上通过微加工技术制造出薄膜、梁结构,并在应力集中区域掺杂形成压敏电阻。是当今主流(如手机气压计、汽车MAP传感器)。
- 金属应变片 (Foil Strain Gauge): 最常用。康铜、卡玛合金等。电阻变化主要由几何尺寸变化 (
- "压敏"的含义: 特指该材料的电阻率
ρ
和/或几何尺寸 (L, A) 会随施加的机械应力(压力、拉力、弯曲)发生显著变化。这正是"压阻效应"的定义。 - 传感器结构: 压敏材料(应变片)被粘贴或集成在弹性体 (如金属膜片、梁)上。压力作用在弹性体 → 弹性体变形 → 附着其上的压敏材料变形 → 材料电阻变化 (
ΔR
)。