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1. 模拟多道分析（Analog MCA）
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 原理 | 利用模拟电路（峰值保持、采样/保持、比较器、计数器）实现传统数字多道分析功能，避免高速ADC和FPGA。 |
| 实现方法 | 每个输入脉冲经峰值保持后，送入一个模拟峰值检测器 ，然后由低速ADC采样，MCU读取幅度值，并统计到对应的"道"（内存数组）。 |
| 关键电路 | 峰值保持器（Peak Hold）+ 慢速ADC + MCU计数。 |
| 优点 | 无需高速采样（>几十MSPS），避免FPGA/DSP，功耗极低。 |
| 注意事项 | 峰值保持器必须有快速响应 和快速复位机制，否则会出现脉冲堆积或死区时间。 |
2. 精密模拟前端（AFE）
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 原理 | 将SiPM输出的微弱电流脉冲（几十ns宽度，几十pC电荷量）转换为电压信号，并进行电荷积分 、脉冲成形 、噪声抑制。 |
| 关键电路 | ① 电荷灵敏前置放大器（Charge-Sensitive Preamplifier, CSP） ② 极零相消（Pole-Zero Cancellation） ③ 半高斯成形（Semi-Gaussian Shaping） |
| 电荷灵敏放大器 | 使用低噪声FET输入运放 （如ADA4817、LMP7721），反馈电容Cf=0.51pF，反馈电阻Rf=100MΩ1GΩ，实现电荷-电压转换：Vout = Q/Cf。 |
| 极零相消 | 消除CSP输出脉冲的长尾，避免脉冲堆积。通过RC网络（Rz, Cz）调整时间常数，使脉冲基线快速恢复。 |
| 半高斯成形 | 使用多级Sallen-Key滤波器 或巴特沃斯/贝塞尔滤波器 ，将窄脉冲（20ns）展宽为**13μs**的高斯形状，提高信噪比，便于峰值保持。 |
| 注意事项 | ① 运放必须低噪声 （<5nV/√Hz）、高增益带宽积 （>100MHz） ② 电源必须低噪声LDO ，避免引入纹波 ③ PCB布局必须Guard Ring保护高阻节点，防止漏电流 |
3. 峰值保持（Peak Hold）
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 原理 | 将模拟脉冲的峰值电压"冻结"在一个电容上，供慢速ADC采样。 |
| 关键电路 | ① 高速二极管（如BAV99、1N4148） ② 保持电容（Chold=100pF~1nF，NPO/C0G陶瓷） ③ 高速缓冲器（如OPA656、ADA4817） ④ 复位开关（如模拟开关TS5A3159、MOSFET） |
| 工作流程 | 脉冲上升 → 二极管导通 → 电容充电至峰值 → 二极管截止 → 电容保持峰值 → ADC采样 → MCU控制复位开关放电 → 等待下一脉冲。 |
| 性能指标 | ① Droop（电压跌落） < 1mV/ms（由缓冲器输入偏置电流决定） ② Acquisition Time（捕获时间） < 500ns（由二极管速度和电容决定） ③ Reset Time（复位时间） < 1μs（由开关电阻和电容决定） |
| 注意事项 | ① 二极管必须低反向漏电流 （<1nA），否则电容电压会缓慢下降 ② 保持电容必须低介电吸收 （NPO/C0G），避免电压"回弹" ③ 复位开关必须低电荷注入，否则会在电容上留下残余电压 |
4. 低速高分辨率ADC
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 原理 | 峰值保持后的信号是直流电平 （保持1~10ms），可用低速、高分辨率ADC采样。 |
| 典型器件 | ① ADS1115 （16-bit, 860SPS, I2C） ② ADS8860 （16-bit, 1MSPS, SPI） ③ MCP3421（18-bit, 3.75SPS, I2C） |
| 分辨率计算 | 若满量程=3.3V，16-bit ADC，LSB=3.3V/65536≈50μV。对于1V峰值信号，理论分辨率≈0.0015%，远高于6%的能量分辨率要求。 |
| 采样时机 | MCU等待峰值检测完成中断（或延时>1μs确保建立）后启动ADC采样。 |
| 注意事项 | ① ADC输入阻抗必须>>峰值保持电容放电时间常数，否则会引起负载效应 ② 必须平均滤波（如连续采样4次取平均）抑制ADC噪声 |
5. 单片机（MCU）采样与计数
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 原理 | MCU读取ADC值，根据幅度值查表 或计算道址，将对应道的计数器+1。 |
| 道址计算 | 例如，ADC值=0~65535，欲分256道，则：Channel = ADC_value >> 8（即高8位） |
| 计数器实现 | 使用**uint32_t spectrum[256]**数组，每个元素代表该道的计数。 |
| 死区时间控制 | 峰值保持+ADC采样+复位总时间=5~20μs ，即最大计数率≈50kcps 。若需更高计数率，需使用滑动平均 或模拟-数字混合死区时间补偿。 |
| 通讯与存储 | ① 通过USB CDC 或UART 上传能谱数据 ② 内部Flash/EEPROM 存储校准参数（增益、偏移） ③ 可选TF卡存储长时间数据 |
6. 低功耗设计细节
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 电源管理 | ① 使用LDO （如MCP1700, 1.6μA静态电流）为模拟电路供电 ② 使用DC-DC （如TPS62740, 360nA Iq）为数字电路供电 ③ 运放与ADC可关断，脉冲到来前唤醒（<10μs启动时间） |
| MCU低功耗 | ① 使用STM32L0/L4 系列，Sleep模式<1mA，Stop模式<10μA ② 使用RTC+中断唤醒，无脉冲时进入低功耗 |
| 整体功耗估算 | 假设：① 运放+ADC+MCU平均电流=2mA ② 电源转换效率=80% ③ 3.7V锂电池=1000mAh，则续航≈1000mAh/(2mA/0.8)=400小时 |
7. 能量分辨率6%的实现条件
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 定义 | 能量分辨率 = (FWHM @ 662keV) / 662keV ≈ 6% → FWHM≈40keV |
| 影响因素 | ① 电子学噪声 （运放+ADC） ② 探测器固有分辨率 （SiPM+Scintillator） ③ 统计涨落（光电子数） |
| 噪声预算 | 若输出信号=1V@662keV，6%分辨率对应噪声RMS<6mV （因FWHM≈2.35×RMS）。即等效输入噪声<0.06%×1V=6mV RMS。 |
| 实现方法 | ① 运放噪声<5nV/√Hz，带宽100kHz → 输入噪声≈5nV×√100k≈1.6μV RMS，经增益1000倍=1.6mV，远低于6mV ② 使用模拟滤波器限制带宽 至100kHz，抑制白噪声 ③ PCB地平面+屏蔽盒，防止EMI干扰 |
8. 校准与线性化
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 能量校准 | 使用已知放射源 （如Cs-137, 662keV；Co-60, 1173/1332keV），建立ADC值→能量的线性公式：E = a×ADC + b |
| 增益校准 | 通过调节运放增益电阻 或软件乘系数，使662keV对应期望ADC值（如50000） |
| 非线性修正 | 若SiPM或ADC存在非线性，可使用分段线性插值 或二阶多项式修正 |
9. 关键器件选型推荐表
| 功能 | 推荐器件 | 关键参数 |
|---|---|---|
| 电荷灵敏放大器 | ADA4817, LMP7721, OPA656 | 输入噪声<5nV/√Hz，带宽>100MHz，输入偏置电流<1pA |
| 峰值保持二极管 | BAV99, 1N4148, BAS70 | 反向恢复时间<4ns，漏电流<1nA@25℃ |
| 保持电容 | NPO/C0G陶瓷，100pF~1nF | 介电吸收<0.001%，温度系数±30ppm/℃ |
| 模拟开关 | TS5A3159, ADG719 | 导通电阻<5Ω，电荷注入<1pC |
| ADC | ADS1115, ADS8860, MCP3421 | ≥16-bit，SNR>90dB，接口I2C/SPI |
| MCU | STM32L031, STM32L432 | 运行电流<2mA@32MHz，Stop模式<10μA |
| LDO | MCP1700, TPS7A02 | 静态电流<1μA，输出噪声<10μVRMS |
| DC-DC | TPS62740 | 360nA Iq，效率>90%@1mA |
10. 调试与验证建议
| 步骤 | 内容 |
|---|---|
| ① 噪声测试 | 输入端接地，测量ADC输出RMS噪声，确保<6mV |
| ② 线性度测试 | 使用精密脉冲发生器（如ORTEC 419）输入不同幅度，检查ADC值线性度 |
| ③ 能量分辨率测试 | 使用Cs-137源，测量662keV全能峰FWHM，计算分辨率是否≈6% |
| ④ 计数率测试 | 改变源活度，测量最大计数率及死区时间，验证≤50kcps |
| ⑤ 温度稳定性 | 置于恒温箱，0~50℃变化，观察峰位漂移<1%/10℃ |