半导体制造技术导论(第二版)萧宏 第十章 化学气相沉积和电介质薄膜本章要求 1.列出两种用于集成电路芯片的电介质薄膜材料 一般使用氧化硅和氮化硅 2.根据cmos芯片截面,说明至少四种电解质薄膜应用 详细地说,用于多层金属互连中的电介质隔离,用于作为相邻晶体管电介质隔离的浅沟槽隔离STI,在多晶硅和多晶金属硅化物栅极的侧壁上形成侧壁间隔层以帮助形成低掺杂漏极LDD或源/漏扩散层SDE,作为钝化保护电解层PD来封装集成电路芯片。 简单的说,电介质薄膜的应用有浅沟槽隔离,高k栅介质侧壁间隔层,ild和钝化层,其中ild是主要应用 3说明化学气相沉积工艺流程 气体或气相源材料