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工业与汽车级TVS管应用：可靠性设计与案例解析-ASIM阿赛姆
TVS管采用半导体工艺制成单个PN结或多个PN结集成结构，其电气特性由PN结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定。当反向电压小于VRWM时，TVS处于高阻态，漏电流仅为微安级；当电压超过VBR时，雪崩击穿效应使阻抗在皮秒级时间内降至毫欧级。
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