结构对称性对氧化铋能带的影响（论文）摘 要结构对称性对氧化铋（Bi2O3）是一种宽禁带的直接带隙氧化物半导体材料，它具有低介电常数、大光电耦合系数、高化学稳定性、高的激子结合能以及优良的光学、电学及压电特性等，因此在许多方面有着潜在的使用价值，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。 对于Bi2O3材料的研究，我们已经取得了很大的成就，但是这些研究主要是集中于其材料的实验制备、功能和电子结构等理论工作。近年来，过渡金属掺杂Bi2O3等稀磁半导体材料成为了人们的研究方向，激起了人们的研究欲望。通过对氧化铋进行