电迁移：芯片互连可靠性的核心命题在半导体芯片的微型化演进之路中，从微米级到纳米级制程，芯片性能不断突破的同时，互连系统的可靠性挑战愈发凸显。电迁移（Electromigration, EM）作为半导体互连中最关键的失效机制之一，直接决定了芯片的长期稳定运行能力，更是先进制程芯片商业化落地的核心制约因素。不同于通用物理层面的电迁移定义，半导体领域的电迁移，特指芯片内部金属互连（铝/铜布线、焊盘、通孔等）在高电流密度作用下，金属原子发生定向迁移，进而引发的一系列性能衰退与失效现象，贯穿半导体设计、制造、封装全流程。