上海贝岭150V SGT MOSFET产品BLP038N15与BLP05N15的器件优势和应用表现上海贝岭的150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss；采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得150V SGT系列产品具有极低的开关损耗。南山电子为您介绍上海贝岭150V SGT MOSFET产品BLP038N15与BLP05N15的器件优势和应用表现。