NETSOL串行SPI MRAM嵌入式非易失存储器应用优势串行SPI MRAM在绝大多数设计里，从来不是"存东西的地方"，而是那个必须在掉电瞬间保住数据、而且根本来不及做擦除的位置。SPI NOR Flash在部分场景能顶，但写前必须擦（毫秒级），掉电窗口内经常写不完，擦写寿命在10的五次方量级，频繁记录必须上磨损均衡加ECC，软件复杂度直接上一个台阶。EEPROM在低容量简易场景可行，但写周期5到10毫秒，耐久性10的六次方量级，同样扛不住高频记录。FRAM/FeRAM读写无延迟，中低容量可以用，但容量密度上不去、供应链高度集中，高温数据保持是需要重点评估的一