20240620日志：TAS-MRAM的电阻开放分析MRAM(Magnetic random access memory)，磁随机存储器，利用磁性材料的状态来存储数据。MRAM的存储单元通常由一个磁隧道结（ M T J 茅台酒 MTJ^{茅台酒} MTJ茅台酒，Magnetic Tunnel Junction）组成，它包括两个铁磁（FM）层和一个绝缘的隧穿层。其中一个铁磁层的磁化方向是固定的（称为参考层或钉扎层），另一个铁磁层的磁化方向可以改变（称为自由层）。数据存储在自由层相对于参考层的磁化方向上，当自由层与参考层的电子自旋方向平行，整体表现为小电阻；相