通过混合栅极技术改善p-GaN功率HEMTs的ESD性能本工作中，首次证明了混合栅极技术在不增加额外面积和寄生效应的前提下，能有效提升p-GaN HEMTs的栅极静电放电(ESD)性能。通过部分替换p-GaN HEMT中的肖特基型栅极金属为欧姆接触型金属，制备了混合栅HEMT（Hyb-HEMT）。基于传输线脉冲（TLP）性能的对比研究，证实了Hyb-HEMT的栅极ESD承受能力提高了约11倍，表明由欧姆接触型金属引入的“放电路径”能有效耗散ESD能量。此外，实验还证明，由于积累电子与注入空穴之间的复合作用，Hyb-HEMT在重复栅极ESD应力作用下更加稳定。