紫外光源

友思特 ALE系列技术参数详解：UV波段的真实性能表现曝光均匀性不是参数表上的装饰数字，而是良率的物理上限。在接触式或接近式光刻中，晶圆表面不同位置的曝光剂量差异会直接转化为线宽偏差（CD variation）。当均匀性从 ±2% 恶化到 ±5% 时，同一片 6 英寸晶圆上的关键尺寸可能相差数十纳米，超出工艺窗口。半导体行业数据显示，2025 年全球 UV LED 市场规模达 34.86 亿元，同比增长 24.54%，但光功率密度不足和均匀性控制仍是制约高端应用的核心瓶颈。

友思特智能感知

友思特应用 | 硅片上的光影贴合：UV-LED曝光系统在晶圆边缘曝光中的高效应用晶圆边缘曝光是帮助减少晶圆涂布过程中多余的光刻胶对电子器件影响的重要步骤。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能点光源，作为唯一可用于宽带晶圆边缘曝光的 i、h 和 g 线的 LED 解决方案，可高效实现WEE系统设计和曝光需求。

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