技术栈
失效分析
【ql君】qlexcel
16 天前
失效分析
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场效应管
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mos
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mos损坏
MOSFET失效原因分析
MOSFET有三个电极，源极、栅极和漏极，简化模型如下图：雪崩失效（电压型失效）当 MOSFET 漏源极之间施加的电压超过器件额定漏源击穿电压 BVdss，且超出幅度达到临界阈值时，会引发雪崩击穿效应，导致器件内部载流子急剧倍增，最终造成 MOSFET 永久性失效。
扫描电镜
6 个月前
制造
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扫描电镜
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扫描电子显微镜
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国产扫描电镜
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失效分析
半导体制造中的扫描电镜：从工艺诊断到失效分析
扫描电镜（SEM, Scanning Electron Microscope）作为半导体行业中不可或缺的高精度检测工具，凭借其纳米级分辨率和强大的表征能力，已广泛应用于芯片制造、材料开发、失效分析、工艺优化等多个关键环节。本文将详细介绍扫描电镜在半导体领域的典型应用场景及其技术价值。
我是有底线的