计算机组成原理-双端口RAM和多模块存储器

文章目录

存取周期

总览

双端口RAM

RAM:用于主存或高速缓存,断电数据丢失

多体并行存储器

读某个存储芯片时候,因为一个存取周期内只能存取一个单元的数据,但如果是不同存储芯片,则可以实现存取本存储芯片的单元数据,同时开始存取下一个存储芯片某个单元的数据

根据地址译码的方式不同,可以实现同一个存储芯片但地址不相邻的情况

低位交叉编址对应的连续取n个存储字:nr+T-r

低地址交叉编址有多少个存储体合适(体号)

低地址交叉编址的存取可以理解为一个流水线工作,宏观来看是同时做好的,即并行,但微观来看其实是按次序来做的,即串行

宏观上m体交叉存储器由于在一个存取周期内可以取m个存储字的数据

为了保证效率和成本,选用m=T/r的值作为存储体的个数

给定一个地址x,确定它属于第几个存储体

  • 可以通过体号判断
  • 可以通过对m取余

多模块存储器(多体存储器)

单体多字存储器:一次能读取m个字,且地址一次能读取存储单元的个数固定

总结

高位交叉编址:相当于扩容(多了些存储单元)

实际场景

同一块卡槽的橙色和绿色代表高位交叉编址

不同卡槽的橙色和橙色代表低位交叉编址

相同主频即相同存取周期,相同容量使得都为多体存储

若主频不同,CPU会降频到低频,若容量不同,则部分区域为单体存储

16GB被分为两个内存条构成了低位交叉编址

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