数字后端概念——FinFET/Nanosheet FET

FinFET/Nanosheet FET的概念

3nm后,芯片该何去何从?
3nm后,芯片该何去何从?

解决以上问题的有效办法是将电源/接地线埋入基板,即BPR(Buried Power Rails)。利用BPR方法,可将Track数量减少至5T,此外,可以将信号排线数量保持为4T。

通过导入BPR,电源/接地排线引起的电压下滑约为40%,与之前相比下降幅度大幅度降低了。BPR情况下,即使排线较细,也可以保证高度,因此,很容易使排线的断面积做的较大。即,可以降低电阻。BPR带来的低电阻大大地缓解了电压下降的问题(即有利于电源电压的稳定)。

此外,通过优化供给电源的排线网络(PDN),线路模组的硅面积大约减少了14%(排除以下:通过缩小晶体管、减少线路的Track数量,削减硅晶圆面积)。

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