【第二套】华为 2024 年校招-硬件电源岗

1.为了避免 50Hz 的电⽹电压⼲扰放⼤器，应该⽤那种滤波器：
A.带阻滤波器

B.带通滤波器

C.低通滤波器

D.⾼通滤波器
2.PID 中的 I 和 D 的作⽤分别是？
A、消除静态误差和提⾼动态性能

B、消除静态误差和减⼩调节时间

C、提⾼动态性能和减⼩超调量

D、减⼩调节时间和减⼩超调量
3. 关于信号采样，正确的是
A、采样频率只要⼤于被测频率即可
B、采样频率过低会发⽣混叠现象
C、采样频率越⾼越好
D、采样频率要设为被测信号频率的整数倍
4. 在⾼频开关变换器中，半导体开关器件的主要损耗是（）。
A . 通态损耗
B . 开通损耗
C . 断态损耗
D. 开关损耗
5. 关于 PCB 布局，说法错误的是
A、把受热影响⼤的元器件放置在离进⻛⼝近的区域
B、数字电路器件与模拟电路器件分开放置
C、钽电容应该放在铝电解电容的前⾯，因为钽电解电容的抗浪涌的能⼒较强
D、晶体、晶振、⾼速芯⽚、开关电源等强辐射器件或敏感器件距单板拉⼿条、连接器的边
缘尽量远
6. 在电⼦迁移率公式 u=qt/m 中，t 指的是扩散时间。
A、正确 B、错误
7. 下列对 CMOS 电路描述正确的是（）
A.CMOS 电路是互补型⾦属氧化物半导体电路
B.CMOS 电路由半绝缘场效应晶体管组成
C.CMOS 是⼀种单级型晶体管集成电路
D.CMOS 基本结构是⼀个 N 沟道 MOS 管和⼀个 P 沟道 MOS 管
8. 为了稳定放⼤电路的输出电压,应引⼊：
A. 交流负反馈
B. 直流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
9. 温度升⾼时,三极管的 β 值将增⼤。
A、正确 B、错误
10. 选择示波器时，示波器的带宽应为被测信号最⾼频率分量的（）倍。
A.1
B.2
C.3
D.4
11.基尔霍夫定律是分析⼀切 () 电路的基本依据。

A、 电流参数
B、 集总参数

C、 电阻参数

D、 电压参数
12.下列关于三极管和 MOS 正确的是
A. 三极管属于电流控制，MOS 属于电压控制

B. 三极管属于电压控制，MOS 属于电流控制

C. 三极管属于单极型电压控制开关器件，MOS 属于双极型电流控制开关器件

D. 三极管和 MOS 都有三个电极，分别为基极、集电极、发射极
13. 关于电感的下列说法,错误的是______。
A. 电感在直流稳态电路中相当于短路
B. 电感处于交流电路中,总是吸收功率
C. 电感中的电流不能跃变
D. 电感是储能元件
14.⼯作在放⼤区的晶体管,当 IB 从 10μA 增⼤到 20μA,IC 从 1mA 增⼤到 2mA,它的 β 为
A.100

B.50

C.10

D.2

解析： β = ΔIC / ΔIB
15. 系统开环对数频率特性的低频段特性决定了系统的____ ,中频段特性决定了系统的____ ,
⾼频段特性决定了系统的___ 。
A.稳态误差，稳定性，抗⼲扰性能
B.稳定性，稳态误差，抗⼲扰性能
C.抗⼲扰性能，稳定性，稳态误差
16. PWM 主要应⽤于（ ）电路中。
A.整流
B.逆变
C.斩波
D.调压
17. 为了保证系统稳定,则闭环极点都必须在( )
A. s 左半平⾯
B. s 右半平⾯
C. s 上半平⾯
D. s 下半平⾯
18. 太阳能电池单体是⽤于光电转换的最⼩单元,其⼯作电压约为( )mV,⼯作电流为20~25mA/cm2。
A.400~500
B.100~200
C.200~300
D.800~900
19. 太阳能电池的能量转换效率是从太阳能电池的端⼦（）的电⼒能⼒与（）的太阳能辐射
光能量的⽐。
A.输⼊，输出
B.输出，输⼊
20. 在磁性元件中，⼀般（）代表磁⼼的横截⾯积
A. Ac
B. Ad
C. Ae
D. Asec
21. 当温度升⾼时,⼆极管的反向饱和电流将( )。
A. 增⼤
B. 不变
C. 减⼩
D. 不确定
22. 集成运放的输⼊级采⽤差分放⼤电路是因为可以( )。
A. 减⼩温漂
B. 增⼤放⼤倍数
C. 提⾼输⼊电阻
D. 减⼩放⼤倍数
23. 有关瞬态电压抑制器(TVS)的作⽤,以下哪⼀项是错误的()
A.它是⼀种⼆极管形式的⾼效能的保护器件，防⽌瞬态⾼能量时冲击时，保护精密器件免受
各种浪涌脉冲的损坏。
B.加在信号和电源线上，能防⽌微处理器，⼈体静电、交流浪涌或噪声，导致处理器的失灵。
C.能释放超过 10000V，60A 以上的连续信号，这可以防⽌总线之间开关引起的⼲扰。
D.将 TVS 放置在信号线和地之间，能避免数据及控制总线受到不必要噪声的影响。E.电路中
接⼊ TVS 后，如果外界信号输⼊较⼤脉冲，TVS 即可将该信号瞬间导地，保护后级器件。
24. 在系统对输入信号的时域响应中，其调整时间的长短是与()指标密切相关。
A.允许的峰值时间
B.允许的超调量
C.允许的上升时间
D.允许的稳态误差
25.实验时，TTL 芯⽚发烫，不可能的原因是()

A、 电源使⽤ 12V

B、 插反芯⽚

C、 电源与地短路
D、 电源使⽤ 4V
26. 开关电源模块的寿命是由模块内部⼯作( )所决定,其⾼低主要是由模块的效率⾼低所决
定。
A.效率
B.电压
C.温升
D.性能
27. 在半导体材料中,正确的说法是( )。
A.P 型半导体和 N 型半导体材料本⾝都不带电
B.P 型半导体中,由于多数载流⼦为空⽳,所以它带正电
C.N 型半导体中,由于多数载流⼦为⾃由电⼦,所以它带负电
D.N 型半导体中,由于多数载流⼦为空⽳,所以它带负电
28. 差分放⼤电路的主要特点是()
A.有效放⼤差模信号,抑制共模信号
B.既放⼤差模信号,⼜放⼤共模信号
C.有效放⼤共模信号,抑制差模信号
D.既抑制差模信号,⼜抑制共模信号
29. 放⼤电路在⾼频信号作⽤下放⼤倍数下降的原因是___。
A 耦合电容和旁路电容的影响
B 晶体管极间电容和分布电容的影响
C 晶体管的⾮线性特性
D 放⼤电路的静态⼯作点设置不合适
30. 绝缘栅双极性晶体管是指 A
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、SCR
31. 半桥逆变电路的特点描述正确的是__。
A．应⽤于⼤功率逆变
B．电路简单
C．使⽤器件少
D．输出交流电压幅值为 Ud/2
E．且直流侧需两电容器串联
32. 双 PWM 电路中,整流电路和逆变电路都采⽤ PWM 控制,可以使( )
A. 电路的输⼊输出电流均为正弦波
B. 输⼊功率因数⾼
C. 中间直流电路的电压可调
D. 输⼊功率因数低
33. 在 CMOS 集成电路制造中，⼆氧化硅的主要作⽤有哪些?
A、作为芯⽚的保护膜
B、作为电隔离膜
C、作为元器件的组成部分
D、作为掩膜
34. 影购 BUCK 电源输出质量的因素有哪些？
A、电感感值
B、电感封装
C、输⼊电容
D、⼯作模式
35. 静态功耗⼜叫做泄漏功耗，它是指电路处在等待或不激活状态时泄漏电流所产⽣的功耗，
泄漏电流主要包括
A、⻔栅泄漏电流
B、反偏⼆极管泄漏电流
C、⻔栅感应漏极泄漏电流
D、亚值泄漏电流
36. BOOST 电路⼯作在连续模式，仅 BOOST 电路的输⼊电压升⾼时，下⾯描述不正确的是
A、 输⼊滤波电感的纹波变⼤
B、 输出电容纹波电流变⼩
C、 占空⽐变⼩
D、 开关管的电压应⼒不变
37. 哪些是运放理想模型参数特性
A、开环差模电压增益⽆穷⼤
B、输出电阻⽆穷⼤
C、共模抑制⽐⽆穷⼤
D、差模输⼊电阻⽆穷⼤
38. 关于磁珠的使⽤，说法正确的是：
A. 磁珠的插⼊损耗与线路阻抗有关，阻抗越⾼，插损越⼩
B．额定电流降额 80％使⽤
C．额定电压降额 80％使⽤
D. ⼯作最⾼温度不要超过额定温度
39. 电源 PDN 设计中，将 1 个 10uF 替换为 10 个 1uF，由于并联减⼩ ESR 的作⽤，⼀定有
利于纹波的抑制。
A.正确
B.错误
40. 下列有关电感 Q 值说法正确的是：
A、电感器的 Q 值是指在某⼀频率的交流电压下⼯作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之
⽐
B、电感器的 Q 值越⾼，其损耗越⼩，效率越⾼
C、电感器品质因数的⾼低与线圈导线的直流电阻、线圈⻣架的介质损耗及铁⼼，屏蔽罩等
引起的损耗等有关。