近期华为海思即将开始IC设计实现实习岗位机考。小编今天给大家分享下华为海思相关机考题目。
每年IC秋招笔试其实也是从题库中随机抽出一些题。
华为海思2025届校招笔试面试经验分享华为海思机考主要分三个方向，分别是物理方向，电路设计方向和工艺方向。
机考开始会让考生自由选择一个方向进行笔试考试。考试题型分为单选和多选两种，共40道题。
1）物理设计方向
这个方向的题目主要考查半导体材料相关知识。如果你本身是半导体材料相关方向的，其实可以选择这个方向的题目。
参考书籍为刘恩科《半导体物理学》和施敏 《半导体器件物理》。电子书资料有需要的同学，也可以私信小编免费领取。
下面给大家分享几道去年海思物理设计方向机考真题。由于题目的私密性，想要完整版可以私信。
1、关于场效应管的低频跨导gm，以下说法错误的是:( )
A.与放大器的线性度指标有关
B.与栅源电压无关
C.与栅源电压有关
D.与放大器的增益有关
2、温度下降时，MOSFET的亚阈值摆幅（subthreshold swing,SS）会如何变化（）
A. 下降
B. 不变
C. 上升
D.和电压偏置状态有关
3、类施主表面态是空态时为中性，被一个空穴占据后表面态带什么电（）
A.不确定
B. 中性
C.负电
D.正电
4、PN结在开态下的导通电流主要是
A.热电流
B.扩散电流
C.漂移电流
D.隧穿电流
5、半导体锗中，锗原子之间的键为
A.共价键
B.范德瓦尔斯键
C.金属键
D.离子键
6、PN结二极管比肖特基二极管具有更好的高频特性
A.错误
B.正确
7、对于简并半导体，电子和空穴分布需采用正态描述()
A错
B.对
8、施主和受主杂质电离后，在半导体中会分别产生额外的()
A.空穴、空穴
B.空穴、电子
C,电子、电子
D.电子、空穴
9、PN结的击穿的特点()
A 反向电压随电流增加迅速增加
B.反向电流随反向电压增加迅速增加
C 正向电压随电流增加迅速增加
D.正向电流随反向电压增加迅速增加
10、对半导体进行N型掺杂分别会产生什么能级()
A 施主能级
B.施主能级与费米能级
C受主能级与费米能级
D.受主能级
2）电路设计方向
这个方向主要考查数字IC设计，实现，验证等方面的知识。主要考查内容包括Verilog的基本语法、验证相关的问题、SystemVerilog、综合、卡诺图化简、基本的门电路、时序电路、组合电路、仿真的问题（testbench)、异步FIFO、异步信号、同步信号、逻辑运算，DFT可测试设计，静态时序分析STA，布局布线PR，Low Power低功耗设计方法等方面。
这个方向的参考书籍为《数字集成电路：电路，系统与设计》。想要这本参考书电子书的同学，也可以私信免费获取。
这个方向应该说是大部分同学选择的笔试方向。咱们社区也有9套这个方向的笔试真题。
3）工艺方向
工艺方向主要考查半导体工艺制造相关知识点。
参考资料为中芯国际创始人张汝京编写的《纳米集成电路制造工艺》。这个方向目前没有相关真题。
今年秋招也会全程跟踪所有公司的笔试面试题，会逐步完善IC中后端设计实现岗位的笔试面试题库。
有兴趣的同学，可以持续关注社区动态。如果大家在实习招聘，应届生招聘，社会招聘环节有笔试或面试相关困扰，都欢迎找我免费咨询。最后祝大家都能够顺利找到自己理想的offer。