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一、基本概念
可以理解成：高低边驱动是MOS/IGBT的一种应用方式
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高低边驱动是电路拓扑概念 ，描述的是 开关器件（如MOSFET、IGBT）在电路中的位置：
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高边驱动：开关位于电源（+V<sub>CC</sub>）和负载之间。
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低边驱动：开关位于负载和地（GND）之间。
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MOSFET/IGBT是具体实现开关的器件 ，高低边驱动则需要配合 驱动电路（如栅极驱动器、电荷泵等）。
二、关键参数对比
三、工作原理
（1）高边驱动
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N-MOSFET 方案 ：
需电荷泵或自举电路（如 LM5050）将栅极电压抬升至高于电源电压（V<sub>GS</sub> > V<sub>CC</sub>）
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P-MOSFET 方案 ：
直接驱动，但 R<sub>DS(on)</sub> 较大，效率低。
（2）低边驱动
直接通过逻辑电平控制 N-MOSFET 栅极，无需电压抬升
四、典型的应用场景
五、如何选择
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选高边驱动：
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负载需始终接地（如汽车大灯）。
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系统需防短路（工业设备）。
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选低边驱动：
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成本敏感，无需隔离（如家用电器）。
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高频开关（如 PWM 调光）。
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这里注意区别我们常说的MOS管的驱动芯片，MOS管的驱动芯片的存在主要是为了开通MOS管，为了提供MOS管开通所需要的电压，需要自举升压电路，驱动芯片的意义正是自举升压相关的一些电路。驱动芯片简单而言就是把单片机产生的PWM波形进行放大输入到MOS管的栅极G，从而达到开通关断MOS管的目的。
