NCV8402ASTT1G自保护N沟道功率MOSFET安森美/ONSEMI 过流过温保护汽车级驱动NCV8402ASTT1

NCV8402ASTT1G 是 安森美 (ON Semiconductor)推出的自保护N沟道功率MOSFET,采用 SOT-223 封装,是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护,适用于严苛的汽车环境。

核心特性

‌ •保护功能‌:集成过流、过热、过压保护及ESD防护,支持自动重启热关断 ‌

•电气规格‌:

•漏源极电压:42V(最大)

•连续漏极电流:2A

•导通电阻:典型值165毫欧 ‌

•工作温度‌:-40°C ~ 150°C(结温) ‌

应用领域

车载充电器

电动汽车

太阳能

互联照明,主要用于汽车充电器、 太阳能及工业控制等场景

电气规格

‌ •漏源极电压‌:42V

‌ •连续漏极电流‌:2A

‌ •导通电阻‌:200mΩ(典型值) ‌

保护功能

‌ •过流保护‌:支持限流(固定)

‌ •过热保护‌:自动重启热关断

‌ •过压保护‌:集成式漏极-栅极箝位 ‌

工作温度

‌ •最低工作温度‌:-40°C

‌ •最高工作温度‌:150°C ‌

其他特性

‌ •输入类型‌:非反相逻辑电平输入

‌ •ESD保护‌:集成静电防护 ‌

该器件适用于严苛的汽车环境,符合 AEC-Q101 标准,支持双通道模式

特性:

1.短路保护

2.与自动重新启动热关断

3.过压保护

4.电压 - 负载:42V(最大)

5.电流 - 输出(最大值):2A

6.导通电阻(典型值):165 毫欧

7.输入类型:非反相

8.故障保护:限流(固定),超温,过压

9.集成钳位的电感开关

10.ESD保护

11.模拟驱动能力(逻辑电平输入)

12.NCV前缀为汽车和其他需要的应用

独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101

电源负载管理

作为电源负载开关,可实现路径管理功能,通过控制电路的通断来分配电力负载,适用于汽车电子系统中对电流、电压和温度敏感的模块。 ‌

过流/高温保护

内置过电流、高温及ESD(静电放电)保护机制,可防止因短路、过载或异常工作温度导致的元件损坏,提升汽车电子系统的可靠性。 ‌

漏极-门极箝位

集成漏极-门极箝位功能,可抑制过电压对器件的冲击,适用于高压场景下的电路保护。 ‌

相关推荐
从懒虫到爬虫1 年前
基于YOLOV8+Pyqt5光伏太阳能电池板目标检测系统
目标检测·太阳能·电池板
嵌入式小李2 年前
太阳能的发展与应用
太阳能