结构
结构图如下，可知有NMOS、PMOS两种类型。
结构：G、D、S三个部分。
Gate栅极：控制级
Drain漏极：主电路电流入口。电源正极所在。
Source源极。：主电路电流出口。负载所在。
（NMOS）单片机控制G端，给高就导通主电路D、S两端，给低的就断路D、S两端
选型
封装
外形和尺寸，大概率封装大小和承流能力正相关
Vds：最大漏-源电压（漏极到源极）
D到S之间能承受的最大电压。需要比电路中的电源电压高，而且要够高，防止上电瞬间的尖峰电压（纯看电路心情）。（实际12V但选个30V）
Id：连续漏极电流
D到S能持续通过的最大电流。需要比负载的正常工作电流大，而且要够大。（实际2A选5A）
Rds(on)：导通电阻
D、S完全导通时的电阻。越小越好，减少模块发热，保护模块。负载电流越大，Rds(on)就得越小。发热功率P = I² * Rds(on)，电路供电一部分会发热降低供电效率。（越小越贵、体积也越大）
Vgs(th)：栅极阈值电压
能让MOS管开始导通的最小G极电压。选型要确保单片机的控制引脚信号的电压远大于Vgs(th)。电压足够高才能让MOS管完全导通、让Rds(on)降到最低。（实际Vgs是2V，用5V信号控制）
Cgs：栅极电容
决定MOS开关的速度，花费时间和和Cgs大小正相关。G、S之间的寄生电容，天生的。
打开MOS管：给Cgs充电，直到电压超过Vgs(th)，MOS管才被导通。
关闭MOS管：让Cgs放电。
电路设计
G极必须串联电阻
G极内部有电容，在开关瞬间相当于短路，会产生很大的冲击电流。串一个几十到几百欧姆的电阻（如100Ω）可以限制这个电流，保护你的单片机IO口和MOS管本身。
G极和S极之间要并联电阻（下拉电阻）
MOS管是电压控制器件，G极悬空时极易受外界电磁干扰而误导通。在G极和S极之间接一个10kΩ左右的下拉电阻，可以确保在控制信号消失时，G极被可靠地拉到低电平，让MOS管稳定关闭。
等效理解
DS之间的电阻R受GS之间的电压差影响。当Vgs≈0，Rds≈无穷；当Vgs＞Vgsth，Rds=Rdson