一、存储基础知识
RAM又称随机存取存储器，存储单元的内容可以按照需要随机取出或者存入，存取速度比较快。这种存储器在断电时，会丢失其存储内容，所以一般是CPU运行时会把程序从ROM拷贝到RAM里面执行。所以一般RAM是作为和CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存或者内存。
SRAM是Static RAM的缩写，它具有静态存取功能。静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，特点是高性能、低集成度、速度快，一般在MCU或者SOC会内置一小块SRAM。
DRAM是动态随机存取存储器，每隔一段时间固定对DRAM刷新充电一次，否则内部数据会消失。像现在的内存条DDR都属于DRAM。
ROM全称是Read Only Menory，顾名思义，它是一种只能读出事先所存的数据的固态半导体存储器。ROM存储的数据掉电不会丢失，可以用来存储各种固化程序和数据。最初的ROM是不能编程的，出厂是什么内容就永远是什么内容，非常不灵活。后面出现了prom，可以自己写入一次，写错了，只能再换一片，后面又出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除都要把芯片拿到紫外线上照一下。
EEPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）是在EPROM的基础上进一步发展形成的电可擦除可编程只读存储器，不需要擦除的时候去照紫外线，它可以按照字节操作，但是集成度不高、价格比较贵。
FLASH又称为闪存，属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM，它和EEPROM最大的区别就是，FLASH只能按照扇区（block）操作，而EEPROM可以按照字节操作。FLASH的电路结构比较简单，同样容量占芯片面积较小，成本比EEPROM低很多。FLASH分为NOR FLASH和NAND FLASH。
NOR FLASH 数据线和地址线分开，可以实现ram那样随机寻址功能，也就是说程序可以在norflash上面直接运行，不需要拷贝到ram中。
NAND FLASH同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。
二、AutoSAR存储架构
图中是AUTOSAR的BSW整体架构，其中存储功能从下层到上层依次是存储驱动、存储硬件抽象、存储服务。
注意：AutoSAR的存储模块主要是针对用户存放data数据的，也就是那些会经常变化，需要实时存储起来的数据。比如一些故障码，当ECU检测到一些故障码就需要实时存储起来，在维修的时候就可以通过工具读取出来分析。
AutoSAR的存储模块介质主要是两种：EEPROM和FLASH仿EEPROM，分为片内和片外存储，因此就有2*2=4种存储方式：
主芯片片内FLASH仿EEPROM
主芯片片内EEPROM
板载片外FLASH仿EEPROM
板载片外EEPROM
注意：前面讲了EEPROM和FLASH最大的不同就是EEPROM可以操作的最小单位是字节，也就是可以直接擦除编程一个字节。FLASH的最小擦除单元是扇区，最小编程单元是page页，TC397芯片的DFLASH的逻辑扇区就有4K大小，page页大小是8字节。
当前AUTOSAR项目开发中，使用最多的就是TC397芯片，该芯片是使用397芯片的DFLASH来模拟EEPROM，用于NVM存储服务使用。
下图是AUTOSAR存储模块具体分层：
NVRAM Manager：简称NVM，是应用层访问非易失性数据的唯一接口，提供非易失数据的管理服务。这一层会统一按block编号，不关心底层是什么存储类型。
Memory Abstraction Interface：简称MemIf，主要作用就是将读写的信息解耦，分别分派给EEPROM或FLASH。
EEPROM Abstraction：简称Ea，EEPROM的抽象层，主要作用就是进一步封装片外或片内EEPROM驱动，给上层提供统一的API接口。
Flash EEPROM Emulation：简称Fee，Flash模拟EEPROM的抽象层
EEPROM Drv：片内EEPROM的驱动，可直接操作寄存器，如果是片外，就需要用到SPI
Flash Drv：简称fls，片内flash驱动，可直接操作寄存器，如果是片外，就需要用到SPI
这个图很清晰的描述了AUTOSAR存储的几种情况：
片内存储：
1、NVM->MemIf->Ea->EEPROM Drv->EEPROM
2、NVM->MemIf->Fee->FLS->FLASH（TC397上使用的方案）
片外存储：
1、NVM->MemIf->Ea->EEPROM Drv->SPI->EEPROM
2、NVM->MemIf->Fee->FLS->SPI->FLASH
三、TC397的Flash编程案例
当前AUTOSAR项目用到的主要芯片是英飞凌的TC397芯片，介绍一下TC397芯片上面硬件FLASH相关知识。
TC397芯片存储分为PFLASH（Program Flash Memory）和DFLASH（Data Flash Memory）。
PFLASH和DFLASH的区别
用途区别：
PFLASH：专门存放固件程序、启动代码和常量数据，CPU 直接从这里取指令执行。
DFLASH：用来存配置参数、校准数据、运行日志等需要频繁修改的信息。
擦写寿命区别：
PFLASH：擦写次数较少，通常 1 万到 10 万次，因为代码很少更新。
DFLASH：擦写寿命更长，可达10万次以上，支持更频繁的数据更新。
操作方式区别：
PFlash：擦除单位较大（常见 1KB-128KB 扇区），编程最小单位 8 字节，读取速度快。
DFlash：擦除单位较小（常见 256 字节 -4KB），编程最小单位 2 字节，适合小块数据频繁修改。
简单说，PFlash 像"只读光盘"存程序，DFlash 像"可写硬盘"存数据，分开设计是为了让代码更稳定、数据更新更灵活。
TC397有5个3MB大小PFx（PF0...PF4）和一个1MB大小的PF5。每个PFx被划分为1024KB（1MB）大小的物理扇区，每个物理扇区又被划分为16KB大小的逻辑扇区（Logical Sector）。
TC397有两个数据闪存存储区DFLASH0和DFLASH1，就是用这个DFLASH来模拟eeprom，来作为AutoSAR的存储服务使用的。DFLASH0还包含了用于数据保护的用户配置块（UCBs，User Configuration Blocks）和1个配置扇区（CFS），用户无法直接访问该配置扇区。
DFLASH逻辑扇区可以配置4KB或者2KB，DFLASH的页有8字节组成，也就是DFLASH最小擦除单元为4/2K，最小编程单元为8字节。
PFLASH逻辑扇区16KB，PFLASH的页有32字节组成，也就是PFLASH最小擦除单元为16K，最小编程单元为32字节。
TC397的PFLASH结构如下图，总共有16M的PFLASH。
编译后的可执行文件，烧录到PFLASH里面去的，用户存DTC故障码是存到DFLASH里面去的，用DFLASH来模拟EEPROM，给用户实时使用FLASH的读写
