一、项目基础信息
1.产品型号：D80
2.样机数量：1 套
3.收样及测试时间：2026 年 6 月 11 日 - 2026 年 6 月 13 日
4.执行标准：EN55032_ClassB
5.测试模式：USB 工作模式
6.测试环境：温度 25℃~35℃，湿度 30%~60%
7.试验设备：855 暗室
8.测试项目：30MHz~1000MHz 频段水平、垂直方向辐射发射
9.判定依据：实测辐射值＜标准限值为合格，辐射值超出限值判定为超标。
二、整改前测试与故障分析
（一）整改前测试概况
产品在 USB 工作模式下，水平、垂直全频段辐射发射值超标 ，多个频点辐射强度高，超出 EN55032_ClassB 标准限值，整体电磁辐射工况恶劣，无法满足标准要求。
（二）故障根源分析
结合电路信号特征、器件选型、PCB 布局及外接配件综合分析，明确辐射超标五大核心原因：
1. 原有磁珠滤波性能不足 B4、B5、B6、B8 位置原配磁珠对中高频干扰衰减能力弱，无法有效抑制线路高频谐波，是基础辐射来源之一。
2. 高速数字信号线路无高频滤波 K_DI、K_LAT、K_CLK 等数字控制 / 时钟线路为高频信号通道，未配置滤波电容，信号传输产生的高频噪声直接向外辐射。
3. USB 差分线路共模干扰严重 DP/DM 差分数据线未加装共模抑制器件，工作时产生大量共模噪声，借助 USB 线路形成辐射天线，大幅抬升全频段辐射值。
4. USB 线材屏蔽失效 原配 USB 线材无屏蔽编织网，无法阻挡内部信号辐射，同时易耦合外界干扰，加剧辐射超标问题。
5. 天线布局不合理 天线采用穿板放置，走线过长且靠近主芯片、晶振，信号串扰严重，进一步放大电磁辐射泄漏。
三、整改方案及原理说明
本次整改围绕器件升级、线路滤波、共模抑制、配件优化、布局优化 五大方向实施，全部整改动作基于现有 PCB 完成，无需改动核心电路，量产落地性强。
1. 电源 / 回路磁珠升级
- 整改措施：将 B4、B5、B6、B8 共 4 颗原有磁珠，统一更换为ASIM 型号 CVB2012E121T 专用高频磁珠。
- 整改原理：该型号磁珠针对产品工作频段优化，可高效衰减电源及回路中的中高频干扰，从源头降低基础辐射噪声。
2. 新增高频滤波电容
- 整改措施：在 C37、C38、C39、C40 位置分别贴装 100pF 高频电容。
- 整改原理：利用电容旁路特性，吸收线路高频杂波，配合磁珠形成 LC 滤波网络，强化干扰抑制效果。
3. 数字信号线路增加磁珠防护
- 整改措施：在 K_DI1、K_DI2、K_LAT、K_CLK、K_DI4、K_DI3 共 6 路数字信号线上，靠近芯片端串联ASIM 型号 CVB1005C102T 磁珠。
- 整改原理：阻断数字时钟、数据线路的高频谐波向外传导、辐射，降低数字电路带来的辐射强度。
4. 预留滤波电容位（设计优化建议）
- 整改措施：在上述 6 路数字信号线上预留电容贴装位置。
- 整改原理：为后续迭代、工况升级预留滤波拓展空间，进一步提升线路抗干扰与辐射抑制能力。
5. USB 差分线加装共模电感
- 整改措施：在 DP、DM差分线路靠近芯片处，串联ASIM 型号 CMF0806DH900MFR 共模电感 1 颗。
- 整改原理：专门抑制 USB 传输过程中产生的共模噪声，切断差分线主要辐射路径，改善 USB 频段辐射超标问题。
6. 更换屏蔽型 USB 线材
- 整改措施：将原普通 USB 线材替换为带屏蔽编织网的专用线材。
- 整改原理：利用屏蔽层隔绝线缆内部电磁辐射，同时防止外界干扰耦合，消除线材 "辐射天线" 效应。
7. 天线布局优化（结构 / 布局建议）
- 整改措施：调整天线布局，取消穿板放置方式，优化走线路径。
- 整改原理：远离高速数字线、主芯片、晶振等干扰源，减少信号串扰与辐射泄漏。
四、整改后测试结果
完成全部整改工作后，在原测试环境、USB 工作模式下进行全频段复测：
整体结论：产品水平、垂直方向全频段辐射发射均满足 EN55032_ClassB 标准 ，所有超标问题彻底解决，设备功能不受任何影响。
五、整改效果总结
1. 分层解决各类辐射源 ：通过磁珠、电容、共模电感组合，分别治理电源回路、数字线路、USB 差分线三大辐射源头，整改针对性强；
2. 软硬结合全面优化 ：既完成板上器件增补 / 更换，又优化外接线材与天线布局，从电路、配件、结构多维度管控辐射；
3. 方案量产友好 ：以贴片器件更换、增补为主，无复杂结构改动，生产工艺简单，成本可控，可直接应用于批量生产；
4. 预留升级空间 ：数字线路预留电容位，为产品后续版本、不同工况下的 EMC 稳定性提供保障。