先断后合 10 ns:ASL3157S 双路 SPDT 模拟开关的切换时序账

评价一颗模拟开关,工程师心里通常有四道题:导通电阻够不够低、切换瞬间两个通道会不会短暂短路、断开的通道会不会把噪声串过来、长期工作在辐射与宽温环境下参数会不会漂移。前三道题里最容易被跳过、又最容易出事故的,是第二道------切换瞬间发生了什么。ASL3157S 是国科安芯推出的双路低导通电阻 SPDT(单刀双掷)模拟开关,工作电压 1.8~5.5 V,典型导通电阻 3.0 Ω,−3 dB 带宽 120 MHz,开启/关断时间 29 ns / 17 ns,采用先断后合(break-before-make)切换结构,tBBM 10 ns,SOP10 封装,属商业航天级抗辐照产品。本文就沿着"切换时序"这一条主线,把这笔账从头算一遍。

一、切换瞬间:两种结构,两种命运

SPDT 开关的切换存在一个物理上无法回避的窗口:旧通路要断开,新通路要接通,两个动作不可能严格同时。若设计成"先合后断",窗口内 NO 与 NC 同时导通,两路信号源经过各自的源阻抗与开关的导通电阻直接对怼:设两源各 50 Ω、电位差 3 V,回路电流可达 30 mA 量级,轻则在信号上留下大幅毛刺,重则把驱动能力弱的那个源拉出正常工作区。先断后合结构把顺序反过来:先让旧通道彻底断开,再接通新通道,任何时刻 NC 与 NO 至多一路导通,两源短接这条失效路径从结构上被消灭。代价是每次切换都存在一个约 tBBM 的"双断"死区------ASL3157S 的这笔代价是 10 ns(5 V)。

死区本身不是免费的恐怖故事,它值多少,取决于你切多快。本项为基于手册 tBBM 的推导:每次切换产生 10 ns 死区,死区时间占比等于 tBBM 乘以切换频率------1 kHz 切换时占比仅 0.001%,100 kHz 时 0.1%,1 MHz 时 1%。对绝大多数传感采集与增益切换场景,这笔开销小到可以忽略;真正要盯住死区的,是兆赫兹级的连续复用与采样保持前端。

二、关键参数与性能边界

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| 参数 | 手册数值 | 工程含义 |
| 电源 / 信号范围 | V+ 1.8~5.5 V;模拟信号 0~V+ | 与 3.3 V、5 V 数字域直接共存 |
| 导通电阻 RON | 3.0 Ω 典型、4.0 Ω 最大(5 V,25 ℃);全温最大 5.0 Ω;3.3 V 全温 7.0 Ω | 决定路径分压与热噪声 |
| 通道间匹配 ΔRON | 0.1 Ω 典型、0.8 Ω 最大 | 多通道一致性与比值测量 |
| 平坦度 RFLAT(ON) | 0.7 Ω 典型、0.85 Ω 最大 | 全信号范围内的非线性来源 |
| 切换时间 | tON 29 ns / tOFF 17 ns(5 V) | 决定复用切换速率上限 |
| 先断后合 tBBM | 10 ns(5 V);11 ns(3.3 V) | 切换瞬间两通道不短接 |
| 关断隔离 OISO | −43 dB @10 MHz;−67 dB @1 MHz | 未选通道的串扰抑制 |
| 通道电容 | 导通 50 pF;关断 15 pF | 与源阻抗共同决定建立时间 |
| −3 dB 带宽 | 120 MHz(RL = 50 Ω) | 高速信号路由的底气 |
| 静态电流 I+ | ≤1 μA | 常备待机几乎不耗电 |
| 控制电平 | VINH 1.5 V @5 V;VINL 0.6 V | 3.3 V 逻辑可直接驱动 |
| ESD | HBM ±2000 V;CDM ±1000 V;MM ±300 V | 装配与现场余量 |
| 抗辐照 | TID ≥ 100 krad(Si);SEU/SEL ≥ 37 MeV·cm²/mg | 商业航天级 |
| 封装 / 温度 | SOP10 / −55~+125 ℃ | θJA 204 ℃/W |

图:ASL3157S 架构

导通电阻的精度账。 3.0 Ω 串联在信号路径上,若后级输入阻抗 10 kΩ,增益误差约 3.0/(10000+3.0)≈ 0.03%,按 12 位系统 1 LSB = 0.024% 折算约 1.2 LSB,可以接受;若后级只有 1 kΩ,误差升到约 0.3%(约 12 LSB),必须写进系统误差预算(本项为基于手册 RON 的推导)。平坦度 RFLAT 0.7 Ω 相对 3.0 Ω 基准约 23% 的相对变化,是开关非线性的主要来源------对失真敏感的应用应加重后级负载,把 RON 的影响稀释掉。

复用速率的两道闸门。 第一道是开关自身:tON + tOFF = 46 ns,理论上限约 21.7 MHz(本项为推导)。第二道更早到来:导通态 50 pF 电容与信号源阻抗构成 RC,源阻抗 1 kΩ 时时间常数 50 ns,建立到 0.1% 需约 7 倍时间常数即 350 ns,对应不足 3 MHz------工程上建议把复用切换速率控制在 1 MHz 以内,为后级采样建立留足余量。换句话说,这颗开关的 29 ns 不是瓶颈,瓶颈通常是它前面那个不够强的信号源。

串扰要按频段看。 OISO 在 1 MHz 给出 −67 dB,折算电压泄漏约 0.04%;到 10 MHz 还有 −43 dB,约 0.7%(折算为本项推导)。音频与中频段这颗开关的关断通道近乎隐形;数兆赫兹以上的相邻通道布置,就要把这份泄漏放进信噪比预算里核一遍。

三、双路集成:一颗顶两颗的系统价值

ASL3157S 在 SOP10 里封装了两路完全独立、各自拥有 IN 控制脚的 SPDT 开关。这带来的第一层价值是密度:两路独立切换只占 10 个引脚,对重量与空间敏感的星载设备是直接收益。第二层价值是功能组合:一路做信号选择、另一路做参考切换,两路同步动作即可组成斩波调制电路,把放大器的失调与低频噪声搬移到高频再滤除;或者一路切信号、一路切地,构成真正的"选通 + 隔离"。第三层价值是一致性:两路开关在同一硅片上同温同压,ΔRON 0.8 Ω 的匹配指标让"两路要对称"的电路设计有了手册背书。

四、外围设计要点

手册备注要求所有未使用的数字输入端口必须保持在 VIO 或 GND 上------IN1/IN2 不用时接固定电平,避免输入级悬浮在阈值附近来回翻转。这是设计建议的延伸:未使用的模拟通道(NO/NC/COM)也建议接 GND 或 V+ 定位,防止悬空节点在关断电容上积累电荷,切换瞬间再注入通道(本项为设计建议,非手册直接给出)。

先断后合的 10 ns 死区还有一条后向影响:切换瞬间通道完全悬空,后级若是高阻输入,其节点电容上保持的旧电荷无处泄放。采样保持与 ADC 前端要评估这 10 ns 内的漂移------通常远小于一个采样窗口,但高速精密场景值得在时序图上画出这段死区。电源侧无需去耦的极端说法不可信,常规 100 nF 就近去耦即可(设计建议)。

五、典型应用与选型依据

场景一是多传感器共享 ADC:每路传感器经一个 SPDT 挂到采样端,tBBM 保证换通道时两源不互扰。场景二是增益与量程切换:反馈网络的比例电阻经开关选择,RON 进不了信号主路径时可把精度账降到次要。场景三是冗余备份:主路失效时 COM 从 NO 切向 NC,先断后合保证切换瞬间新旧路径绝不重叠。

选型上它与同系列产品互补而非替代:要 0.9 Ω 级超低导通电阻、断电也隔离、对音频信号 0.005% 失真的单通道开关,选 ASL3159S;要把 4 位数字总线成组换道、需要 Ioff 局部断电的,选 ASL74LV3257S;要给 MCU 配复位、看门狗与电源故障预警的,选 ASL706S。一句话定位:ASL3157S 管的是"两路模拟信号听谁的",而且切换瞬间谁也不会碰到谁。

六、手册事实 vs 设计建议

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| 维度 | 手册事实 | 设计建议 |
| 切换安全 | 先断后合,tBBM 10 ns(5 V) | 死区占比 = tBBM × 切换频率,先算再选 |
| 复用速率 | tON 29 ns / tOFF 17 ns | 工程复用速率 ≤1 MHz,给建立留余量 |
| 精度 | RON 3.0 Ω 典型、全温最大 5.0 Ω | 后级阻抗 ≥10 kΩ 时误差约 0.03% |
| 一致性 | ΔRON 0.8 Ω 最大;RFLAT 0.85 Ω | 比值测量电路优先用同片双路 |
| 串扰 | OISO −67 dB @1 MHz | 数 MHz 以上布局拉开相邻通道 |
| 待机 | I+ ≤1 μA | 电池系统常备使能无压力 |
| 未用引脚 | 数字输入须接 VIO 或 GND(手册) | 模拟通道也建议 GND 或 V+ 定位 |
| 可靠性 | TID ≥ 100 krad(Si)、SEU/SEL ≥ 37 | 直接写入抗辐照可靠性预算 |

七、总结

回到开头那四道题,ASL3157S 的答案写在数字里:3.0 Ω 的导通电阻把精度账压到 1 LSB 量级,10 ns 的先断后合把"切换短路"从故障清单上划掉,−67 dB 的关断隔离让未选通道近乎隐形,而 TID 与 SEL 的抗辐照定值回答了第四道题。切换时序这笔账,手册给出了所有输入项,剩下的只是工程师把它们乘起来。

ASL3157S 具备 TID ≥ 100 krad(Si)、SEU/SEL ≥ 37 MeV·cm²/mg 的商业航天级抗辐照能力,工作温度覆盖 −55~+125 ℃,导通电阻、切换时序与隔离度均给出全温指标。作为国产自主可控的抗辐照模拟开关,它以 SOP10 双路集成与明确的可靠性数据,为商业航天、核电站与机器人等高可靠场景提供可直接落地的选择。

图:ASL3157S 应用

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