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模拟电子技术的几乎所有"非线性"与"受控"行为，最终都可以追溯到同一条因果链：能带结构决定载流子统计，载流子统计决定费米能级的位置，费米能级在空间上的梯度决定电场与电流 。本征半导体提供了这条链的"零点"，杂质半导体赋予了它可设计的自由度，而PN结则是这条链第一次在空间上被"折叠"起来所产生的器件。以下围绕这三个层次展开，重点不在罗列公式，而在说明公式背后的物理约束与工程含义。
一、本征半导体：没有可调参数的热平衡态
本征半导体的定义是晶格完整、不含杂质且缺陷密度可忽略的半导体。在此条件下，载流子的唯一来源是热激发：价带电子获得大于禁带宽度Eg的能量跃迁到导带，同时在价带留下空穴。导带电子浓度与价带空穴浓度由态密度和费米--狄拉克分布共同决定：
上面讲的是不是很深奥？告诉你。在模电里用不到这些公式🤣
那么本征半导体究竟是什么呢？
本征半导体的定义（正规的说法）：
纯净的具有晶体结构的半导体称为 本征半导体。
常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素
在电子器件中，比较常见的半导体材料是由硅和锗构成的，本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴。均参与导电，这是半导体导电的特殊性质。
【先说重点定义】
将P型半导体和N型半导体用特殊工艺结合在一起，在它们的交界处就形成了一个很薄的区域，称为PN结。
物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为 扩散运动 。
【PN结的特性】：单向导电性
👆牢牢滴记住特性，就像你小时候背乘法表一样😮😮😮
那么，什么是单向导电性？
也就是说，PN结在加正向电压时，处于正向偏置状态，导通；反之，PN结在加反向电压是，处于反向偏置状态，截止。
这个呢，也就是PN结的单向导电性。
在PN结中，还有一个特性，称为伏安特性。
正向特性：
①死区：高阻态；硅二极管的死区电压**（0.5V）** ；锗二极管的死区电压**（0.2V）**。
②导通区：低阻态；硅二极管的导通压降**（0.7V）** ；锗二极管的导通压降**（0.3V）**。
反向特性：
①反向截止区
②反向击穿区
结论：
①二极管加正向电压且大于死区电压时导通；
②二极管加反向电压且小于反向击穿电压时截止。