半导体

【新闻】艾为电子荣获Wind ESG评级AA级，可持续发展再树新标杆近日，艾为电子（688798.SH）凭借在环境、社会、治理三大维度的卓越表现，成功跻身Wind ESG AA级，综合得分位居半导体产品行业前列。在Wind ESG评级覆盖的145家半导体产品企业中，仅有8.97%的企业获得AA级及以上，充分彰显了艾为电子在可持续发展道路上的坚实步伐与卓越成效。

读半导体简史13韩国1.1. Flash存储器的历史可追溯至Floating-Gate晶体管的出现1.1.1. 1959年，美籍韩国人Dawon Kahng与美籍华人施敏合作，在贝尔实验室发明了这种晶体管

【awinic inside】触摸感知视觉防抖 | 艾为全套方案助力心言巴布温情陪伴机器人！产品介绍数字Smart K音频PAOIS光学防抖SOCCap触摸SOCPD协议芯片支持端口湿度检测，全方位护航

2026年打开设备ETF的产品清单：八只同类，两只能买作者：陆北辰（指数基金研究专员）A股市场上有八只以上以"半导体设备"或"半导体材料设备"为主题的ETF产品。但真正在规模和流动性上能打的，只有两只——半导体设备ETF易方达（159558）和科创半导体ETF华夏（588170）。其余的六只之所以很难被推荐，不是因为它们不好——而是因为它们没有建立起流动性护城河。在ETF的世界里，规模就是流动性，流动性就是生存权。

北睿科技单晶金刚石：为高功率设备散热提供可靠路径北睿科技单晶金刚石是一种基于化学气相沉积（CVD）技术制备的人工合成单晶金刚石材料，其热导率可达2000 W/(m·K)以上，为高功率电子设备提供高效、稳定的散热路径，解决传统散热材料在热流密度持续攀升下的性能瓶颈。

AI芯片时代，ESD静电保护缘何成为设计刚需AI芯片架构持续演进，静电威胁呈指数级上升。大模型训练与边缘端推理需求，推动云端GPU、NPU及车载AI处理器等算力芯片不断突破工艺极限，晶体管密度已迈进3nm节点。相较于传统通用芯片，AI芯片存在两大先天静电隐患：其一，大规模存储阵列与高速SerDes接口中，栅氧化层厚度被压缩至1nm量级，对静电冲击的耐受能力显著下降；其二，高频率切换的AI算力模块会引发内部电压瞬态剧烈波动，再加上外部插拔操作、人体接触及PCB组装摩擦引入的静电放电（ESD），极易使器件出现不可见的潜在损伤或直接失效。

半导体上游ETF的配置标尺作者：余不鸣（产业研究员）一、什么是一键配置半导体上游的最短路径半导体行业从上到下分为五层：设计、制造、封测、设备、材料。前两层可理解成产业链中下游，设备和材料排在顶端，是离制造最近的两个环节。对于不想逐只研究个股、又想一批次买进上游核心资产的投资者来说，市面上有一类指数基金专门做这件事——跟踪中证半导体材料设备主题指数的ETF。

CVD光学级单晶金刚石：北睿科技半导体散热解决方案CVD光学级单晶金刚石是通过化学气相沉积（CVD）技术制备的高纯度、低缺陷单晶金刚石材料，具有极高的热导率（>2000 W/m·K）和优异的光学透过性，北睿科技将其应用于半导体散热解决方案，通过直接接触热源实现高效热管理。 **技术原理**：CVD光学级单晶金刚石基于微波等离子体或热丝CVD工艺，在籽晶上外延生长单晶金刚石层，通过精确控制气体（如甲烷和氢气）比例、温度和压力，形成晶格完整、杂质含量极低（氮含量<1 ppm）的结构。其热导率源于金刚石中强共价键和声子散射机制，在室温下可达2000–2200

CVD金刚石单晶片：从实验室到产业化的技术突破## MPCVD技术路线微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）是目前制备高质量单晶金刚石的主流技术路线。相比传统高温高压（HPHT）法，MPCVD能够实现更高纯度和更大尺寸的单晶生长。 ## 光学级金刚石的应用光学级CVD金刚石单晶片在红外检测、高功率激光窗口等领域具有不可替代的优势。其宽光谱透过能力（220nm至50μm以上），峰值透光率可达71%（镀膜后98%）。 ## 半导体散热前景随着AI芯片和GaN功率器件的快速发展，金刚石以其超高导热率（约2000W/(m·K)），成为解决高功率密度散热

IBFKJ-IBFE10590 IBFKJ-E10466高压电源模块高压电源模块是能把普通电压转换成高电压的电源设备，市面上有多种规格可供选择，包括直流高压模块、可调稳压电源等，供应商分布在上海、深圳、天津等地。它体积小、集成度高，可以直接装在电路板上使用，广泛用于工业、医疗、电力等领域，海外也有专门用于光电倍增管等精密仪器的模块产品。

半导体憨包

MOSFET结构演进：平面→沟槽→超结，功率密度的三次跨越平面MOS（Planar MOSFET）是最经典的MOSFET结构，栅极制作在硅片表面，呈平面状铺开，电流在栅极下方的P型体区和N+源区之间，沿着表面水平流动，再垂直流向漏极。

【awinic inside】艾为AI手机方案助力阶跃星辰全球首款大模型原生智能体手机STEPX Neo重构终端体验！图1 阶跃星辰新一代智能体终端（图源：阶跃星辰视频号）一、艾为AI手机方案助力AI智能体手机重构终端体验

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功率MOSFET的结构演进：从平面到超结，每一次变革如何让电源性能飞跃在展开结构演进的故事之前，咱们得先把MOSFET的基本原理捋清楚，不然后面的讨论就像没打地基就盖楼。MOSFET的全名是Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor——金属-氧化物-半导体场效应晶体管。名字很长，但核心意思就一个：用电场来控制沟道的开通与关断。

椭偏仪—介质膜的首选方法当工艺进入先进制程，薄膜厚度降到几纳米甚至几埃（Å）级别时（例如先进逻辑芯片中极薄的 High-K 栅极介质层），传统的光谱反射法会完全失效，此时唯有椭偏仪能够胜任。

GPT-4o写设备Recipe：从3小时到10分钟上个月ETCH机台换新Recipe，我按老办法调了整整3个小时，膜厚偏差还是2.3%。后来试着让GPT-4o帮我分析历史参数和输出结果的关联，10分钟就给出一组初始参数，偏差直接降到0.9%。

【6.14】dB/dBm 标准两步换算流程（通用 / 用途说明）运算规则：$\mathrm{dBm} \pm \mathrm{dB} = $ 新的dBm\mathrm{dBm}dBm

Python自动爬设备报警日志，每天省1小时每天早上到公司第一件事：打开SECS/GEM日志界面，手动抄报警代码到Excel，再分类统计。8台设备抄完刚好1小时。上个月实在受不了了，用Python写了个自动采集脚本，现在5分钟搞定。

用GPT-4o自动生成SPC报告：省了每月2天重复劳动每月SPC报告要花我2天，手动填数据+画图+写分析。用GPT-4o后30分钟搞定。这不是炫技，是真的把省下的时间用来做更有价值的事。

本地部署开源大模型，搭建半导体知识问答系统（Ollama+Llama3）图1：本地部署大模型知识问答系统完整架构去年我们试过直接用ChatGPT查工艺问题，被IT部门叫停——原因是：