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ASIM阿赛姆

1 天前

多引脚防护：阵列器件布局与串扰抑制-ASIM阿赛姆多引脚阵列器件的串扰源于电场耦合与磁场耦合的叠加效应。当信号频率超过100MHz时，相邻引脚间的寄生电容可达0.02至0.05pF，导致容性耦合噪声。典型测试数据显示，0.5mm引脚间距在1GHz频率下近端串扰（NEXT）可达-35dB，远端串扰（FEXT）-40dB，足以使USB 3.2 Gen2的误码率超过10⁻¹²阈值。若采用0.3mm超密间距封装，串扰强度将恶化8至10dB。