器件基础

山风岚电源硬件7 小时前
mosfet·功率半导体·sic碳化硅·gan氮化镓·器件基础
Si、SiC MOSFET和GaN HEMT的优缺点和区别先搞懂底层逻辑：材料决定了器件的性能天花板，在拆解具体器件前，必须先记住一个核心结论：三类 MOS 管的本质差异，是半导体衬底材料的差异；材料的固有物理特性，直接决定了器件的性能上限。
我是有底线的