AI芯片时代，ESD静电保护缘何成为设计刚需AI芯片架构持续演进，静电威胁呈指数级上升。大模型训练与边缘端推理需求，推动云端GPU、NPU及车载AI处理器等算力芯片不断突破工艺极限，晶体管密度已迈进3nm节点。相较于传统通用芯片，AI芯片存在两大先天静电隐患：其一，大规模存储阵列与高速SerDes接口中，栅氧化层厚度被压缩至1nm量级，对静电冲击的耐受能力显著下降；其二，高频率切换的AI算力模块会引发内部电压瞬态剧烈波动，再加上外部插拔操作、人体接触及PCB组装摩擦引入的静电放电（ESD），极易使器件出现不可见的潜在损伤或直接失效。