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3 小时前
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NETSOL MRAM替代ISSI SRAM外扩存储芯片存储解决方案
NETSOL STT-MRAM采用非易失性存储架构，读写完成即固化数据，不需要Vcap电容或Vbatt备用电池。NETSOL MRAM待机电流从毫安级压到微安级，对电池供电的采集设备来说续航差异相当明显。耐久性方面，写循环标称10¹⁴次，读取次数无限，数据在105°C下可保持10年。
我是有底线的