NETSOL STT-MRAM采用非易失性存储架构，读写完成即固化数据，不需要Vcap电容或Vbatt备用电池。NETSOL MRAM待机电流从毫安级压到微安级，对电池供电的采集设备来说续航差异相当明显。耐久性方面，写循环标称10¹⁴次，读取次数无限，数据在105°C下可保持10年。
ISSI SRAM的IS61NVP51236系列状态已经标注为停产，即使有货源，传统SRAM的易失性问题也不会因为供货恢复而消失------断电数据全丢，要保住关键参数就得外挂电池或NOR Flash，PCB面积和BOM成本都省不下来。
NETSOL并口MRAM严格对标异步SRAM时序，与ISSI同级别器件参数高度匹配，硬件引脚和电气协议兼容，35ns读写周期下可以直接pin-to-pin替换，PCB和固件基本不用动。NETSOL MRAM并口线覆盖S3R8016R1M、S3R1616R1M等型号，采用44TSOP2和48FBGA封装，对应ISSI低功耗SRAM的常见布局。ISSI SRAM IS61NVP51236的替代评估可直接衔接S3R系列，16Mbit容量档位匹配度较高，是当前ISSI外扩存储紧缺环境下值得优先验证的路径。SRAM的速度、非易失的数据、兼容的封装，三个条件同时成立，替换工程风险才可控。
目前RAMUSN作为NETSOL代理，NETSOL MRAM产品线备有现货，可提供S3R8016R1M、S3R1616R1M等型号的样品测试和pin-to-pin替换技术指导。有ISSI SRAM替代评估需求的团队，可以直接从具体型号的时序比对入手推进验证。