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oscar999

2 小时前

EMIB 与桥接路线——在“不铺满硅”的前提下逼近 2.5D 的互连密度第9篇的结尾留下了一条判断：CoWoS-L 用 LSI（局部硅互连）替代整片硅中介层，把“局部高密度、全局低成本”确立为 2.5D 封装在面积扩张压力下的结构策略。但 CoWoS-L 仍然保留了一个中间层：LSI 被嵌入在一片独立的 RDL 中介层中，这片“RDL + 硅桥”的复合结构先在圆形晶圆上制造，再贴合到下方的有机基板上，包含两次独立的组装与贴装步骤。