ISSCC论文详解2024 34.2——双端口设计实现高面积利用的浮点/整数存算本文将要介绍的文献主题为浮点存内计算,题目为《A 16nm 96Kb Integer/Floating-Point Dual-Mode-Gain-CellComputing-in-Memory Macro Achieving 73.3-163.3TOPS/W and 33.2-91.2TFLOPS/W for AI-Edge Devices》,下面本文将从文章基本信息与背景知识、创新点解析和现有工作对比三个方面进行论文详解。