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gan hemt

山风岚电源硬件
18 天前
电力电子·开关电源·硬件设计·氮化镓·gan hemt·功率半导体
GaN HEMT基础全解析在电力电子领域,功率器件是电能变换的核心,直接决定了电源系统的效率、功率密度和可靠性。传统硅(Si)基 MOSFET 经过数十年发展,已逼近材料物理极限:开关速度受限、反向恢复损耗大、高温下特性劣化严重,难以满足当下快充、数据中心、新能源汽车、储能等场景对高频、高效、高功率密度的核心需求。
荷塘阅色
2 年前
人工智能·rf·氮化镓·外延层·射频特性·gan hemt
【氮化镓】缓冲层结构对GaN HEMT射频性能的影响【Effect of different layer structures on the RF performance of GaN HEMT devices】
我是有底线的