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半导体制造技术导论（第二版）萧宏第十二章化学机械研磨工艺本章要求1.列出化学机械研磨工艺的应用化学机械研磨是一种移除工艺技术，结合化学反应和机械研磨去除沉积的薄膜，使表面更加平滑和平坦；也用于移除表面上大量的电介质薄膜，并在硅衬底上形成浅沟槽隔离STI；还可以从晶圆表面移出大量金属薄膜而在电介质薄膜中形成金属连线栓塞或金属线

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半导体制造技术导论（第二版）萧宏第十章化学气相沉积和电介质薄膜本章要求 1.列出两种用于集成电路芯片的电介质薄膜材料一般使用氧化硅和氮化硅 2.根据cmos芯片截面，说明至少四种电解质薄膜应用详细地说，用于多层金属互连中的电介质隔离，用于作为相邻晶体管电介质隔离的浅沟槽隔离STI，在多晶硅和多晶金属硅化物栅极的侧壁上形成侧壁间隔层以帮助形成低掺杂漏极LDD或源/漏扩散层SDE，作为钝化保护电解层PD来封装集成电路芯片。简单的说，电介质薄膜的应用有浅沟槽隔离，高k栅介质侧壁间隔层，ild和钝化层，其中ild是主要应用 3说明化学气相沉积工艺流程气体或气相源材料

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半导体工艺与制造篇3 离子注入一般掺杂的杂质类别，包括:提供载流子的施主杂质和受主杂质;产生复合中心的重金属杂质离子注入往往需要生成井well，其中井的定义：晶圆与杂质之间形成的扩散层或杂质与杂质之间形成的扩散层离子注入的目的：用掺杂改变电导率，一般用于较小制程下离子注入的优点：可控、低温离子注入的缺点：晶格损伤

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半导体工艺与制造篇5 光刻光刻的图形包括：硅片上的半导体元器件，隔离槽，接触孔，金属互连线，互连金属层的通孔光刻的要求：光刻机的分辨率，光刻胶光学敏感性，精确对准等等

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半导体工艺与制造篇1 绪论我们为什么要研究半导体？半导体凭什么可以成为电子信息行业的基础呢？这就要说到半导体的一个重要特点：可以通过控制掺杂率来控制它的导电性

EDA（一）VerilogVerilog是一种用于电子系统设计自动化（EDA）的硬件描述语言（HDL），主要用于设计和模拟电子系统，特别是在集成电路（IC）和印刷电路板（PCB）的设计中。Verilog由Philip Moorby和Edward Gelbach在1983年开发，并于1984年首次发布。Verilog HDL的语法类似于C语言，但它提供了用于描述硬件行为和结构的特定构造。 1. Verilog的基本组成 Verilog由三个主要部分组成： • 模块（Module）：模块是Verilog中最基本的构建块，它定义了电路的

哈士奇转身变成狼

Chapter 2 Crystal Dynamics 2.2 声子热容根据热力学第一定律： Δ Q = Δ U + p Δ V \Delta Q= \Delta U + p\Delta V ΔQ=ΔU+pΔV