TOPCon电池SiOₓ钝化接触层的不同CVD制备工艺性能对比晶体硅太阳能电池是光伏市场的主流技术，其效率提升高度依赖于表面钝化技术的进步。当前，基于氧化硅（SiOₓ）的钝化接触技术因能同时提供优异的化学钝化和场效应钝化，成为研究热点，有望推动电池效率超越现有PERC技术水平。然而，制备高质量SiOₓ层的关键工艺：化学气相沉积（CVD）存在多种技术路径，主要包括常压（APCVD）、低压（LPCVD）和等离子体增强（PECVD）方法。这些方法在沉积机理、薄膜生长环境及能耗成本上差异显著，导致所制备的SiOₓ薄膜在均匀性、致密度和缺陷态密度等关键指标上表现不一，进而直接