PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
产品特性
内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗(230VAC)
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围+5%的CC/CV精度原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调无需额外补偿电容
无音频噪声智能保护功能
过温保护(OTP)
VDD欠压&过压保护(UVLO&OVP)
逐周期过流保护(OCP)
CS开/短路保护(CS O/SP)
开环保护(OLP)
主要应用领域
开关电源适配器
电池充电器
机顶盒电源
典型电路原理图
电气参数
