关于PowerTrench® MOSFET？
它是一种MOS场效应晶体管，可以提高系统效率和功率密度。该技术采用了屏蔽栅极技术，可以减少开关损耗和导通损耗，从而提高了系统效率。此外，PowerTrench® MOSFET还具有低导通电阻和高开关速度的特点，可以提高系统的功率密度。
P沟道：
是一种MOS场效应管，它的源极S接输入，漏极D导通输出，与N沟道相反。当P沟道的栅极电压低于阈值电压时，无法形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当栅极电压高于阈值电压时，才有沟道形成。这种必须在栅极电压高于阈值电压时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型P沟道MOS管。沟道形成以后，在漏极和源极间加上正向电压，就有漏极电流产生。
FDG6306P 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V -- 12V) 的功率管理应用进行了优化。
特性：
1.-0.6 A、-20 V。
2.RDS(ON) = 420 mΩ @ VGS = --4.5 V
3.RDS(ON) = 630 mΩ @ VGS = --2.5 V
4.低栅极电荷
5.高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
6.紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
应用领域：
变频器
工业逆变器
不间断电源
感应加热
新能源汽车