QC/PD快充电源产品MOS选型分析

• 原边650-700V SJ MOSFET采用低FOM值的ESM 技术,有利于提高系统效 率, 以及更佳的EAS和EMI等特性,对于一些不含PFC电路的系统更友好。

• 副边采用低FOM值的SGT同步整流电路,相比肖特基二极管整流能有更低的 损耗,有利于系统效率的提高。

• 我们的产品覆盖原边650/700V SJ,副边 40-100V SGT,以及 30-40V VBUS 产品,提供全套 Power 产品方案。

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