EG2106 半桥 MOS/IGBT 驱动芯片解析与工程应用芯片核心特性与工作原理 EG2106 为半桥驱动架构,可同时驱动上下桥两只 N 沟道功率 MOS 或者 IGBT。芯片高端悬浮工作耐压最高 600V,仅需要一路 10‑20V 的 VCC 供电,依靠外部自举二极管与自举电容实现上桥悬浮电源生成,无需给上桥单独配置隔离电源,大幅降低电源部分的设计复杂度。 芯片输入支持 3.3V、5V 单片机逻辑电平,HIN、LIN 两个逻辑引脚内部内置 200kΩ 下拉电阻。当 MCU 输出悬空时,引脚被内部电阻拉至低电平,上下桥驱动输出关闭,避免功率管误导通,提升系统故障