THB6128两相四线步进电机驱动控制模块，可以驱动57及以下两相四线步进电机。该模块有以下优点：
- 芯片使用双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron = 0.55Ω
- 最高耐压36V，峰值电流2.2A，持续电流2A，电流设定通过拨码开关简单设定
- 有1、2、4、8、16、32、64、128多种细分可选，细分通过拨码开关进行设定
- 芯片具有自动半流锁定功能，大大降低锁定时电机发热
- 芯片内置温度保护、过流保护
- 内置5V逻辑信号供电稳压芯片，并加了限流电阻，降低高电压输入时芯片发热
- 输入反接保护
提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考
一、THB6128引脚说明
二、使用说明
电流设定
模块使用电阻分压的方式，给芯片VREF脚提供参考电压，并通过拨码开关S1对电阻进行选择。定义如下：
表中列出了常用电流挡拨码开关组合，其余组合方式可实现别的相电流设置。具体可通过测量测试点Vref的电压来计算。计算公式为：
电机运行时，电机相电流 = Vref * 2
当电机在锁定时，由于半流锁定的原因，Vref也自动减半，
电机相电流 = Vref * 4
细分设定
细分由拨码开关S2进行设定，具体对应表如下：
一般混合式两相步进电机步距脚为1.8°，也就是说单圈整步为360/1.8=200步，则单圈脉冲数为200n，n为细分数。
例如使用16细分，则单圈脉冲数应当为20016=3200个，也就是从CP输入3200个脉冲，步进电机转一整圈。
信号接口
模块有3组输入信号，分别是CP脉冲信号、DIR方向信号、EN使能信号。信号在板内的电气图如下：
当外部信号幅值为3.3-5V时，限流电阻R可以不接，当信号幅值超过5V时，必须对输入信号进行限流，以保证光耦的输入电流为8mA-15mA，具体计算方法为：光耦的导通压降一般为1.1-1.3V左右，取1.2V，则
光耦的电流 = （电压幅值-光耦导通压降1.2V）/（R+330） 特别注意：如果光耦的工作电流超过20mA，光耦寿命将大大降低。
该输入信号接口的特点是：用户可根据需要采用共阳极接法或共阴极接法。
1、共阳极接法：分别将CP+，DIR+，EN+连接到控制系统的电源上。输入信号通过CP-、DIR-、EN-输入，并在低电平时起作用。
2、共阴极接法：分别将CP-，DIR-，EN-连接到控制系统的地端（SGND，与电源地隔离），输入信号由CP+、DIR+、EN+输入，并在高电平时起作用
以阴极接法为例：
VM、VG接电源给步进电机供电，A+、A-接A相电机，B+、B-接B相电机。DIR-、EN-接低电平，DIR+低电平正转，高电平反转，EN+控制步进电机驱动，EN+高电平强制关断。CP+接PWM信号，CP-接PWM地。注意：如果DIR-、EN-悬空，则DIR+、EN+不起作用，控制不了电机。
电流衰减方式
模块使用了两个4.7K的电阻，将VFDT脚的电压设定为2.5V，也就是混合衰减模式，也是最常用的模式，在这种模式下，电机高速、低速运转都很正常。如果您需要别的衰减模式，请自行调节分压电阻。芯片手册给出的FDT电压与衰减方式如下表：
