DDR ECC的使用

DDR ECC的使用

DDR注入错误测试

DDR先刷一遍0,ECC_STATUS,ECC_ON_OF初始化为0,数据注入错误,写DDR,读DDR。
ECC_STATUS

该寄存器保存有关可纠正和不可纠正错误发生的信息。状态位独立地设置为1,表示每种错误类型的第一次发生。状态位可以通过向相应的位位置写入1来清除,但不能通过寄存器写入设置为1。ECC状态寄存器独立于ECC使能中断寄存器运行。

ECC_EN_IRQ

该寄存器确定ECC状态寄存器中的CE_STATUS和UE_STATUS位的值是否触发中断输出信号。如果CE_EN_IRQ和UE_EN_IRQ都被启用,则中断信号的值为CE_STATUS和UE_STATUS位之间的逻辑或。

ECC_ON_OF

ECC开/关控制寄存器允许应用程序启用或禁用ECC检查。设计参数C_ECC_ONOFF_RESET_VALUE确定ECC的启用/禁用设置的复位值。当禁用时,读取操作的ECC检查被禁用,但写入操作的ECC生成仍然有效。

CE_CNT

该寄存器计算可纠正错误发生的次数,可以使用寄存器写入清除或预设为任何值。当计数器达到最大值时,它不会翻转,而是停止递增并保持在最大值。计数器的宽度由C_CE_COUNTER_WIDTH参数定义,固定为8位。

CE_FFA[31:0]

该寄存器存储第一次发生可纠正错误的访问的地址(位[31:0])。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,此寄存器重新启用,以存储下一个可纠正错误的地址。复位后启用失败地址的存储。

CE_FFA[63:32]

注意:如果 C_S_AXI_ADDR_WIDTH < 33,那么这个寄存器将不会被使用。

这个寄存器存储了第一次出现可纠正错误的访问的地址(位[63:32])。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,这个寄存器会重新启用,以存储下一个可纠正错误的地址。在复位后启用失败地址的存储。

CE_FFD[31:0]

这个寄存器存储了第一次出现可纠正错误的访问的(已纠正的)失败数据(位[31:0])。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,这个寄存器会重新启用,以存储下一个可纠正错误的数据。在复位后启用失败数据的存储。

CE_FFD[63:32]

这个寄存器存储了第一次出现可纠正错误的访问的(已纠正的)失败数据(位[63:32])。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,这个寄存器会重新启用,以存储下一个可纠正错误的数据。在复位后启用失败数据的存储。

CE_FFE

这个寄存器存储了第一次出现可纠正错误的访问的ECC位。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个可纠正错误的ECC。复位后启用失败ECC的存储。

表1-34描述了当DQ_WIDTH = 72时寄存器位的使用情况。

UE_FFA[31:0]

这个寄存器存储了第一次发生不可纠正错误的访问的地址(位[31:0])。当 ECC 状态寄存器中的 UE_STATUS 位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的地址。复位后启用失败地址的存储。

UE_FFA[63:32]

注意:如果 C_S_AXI_ADDR_WIDTH < 33,这个寄存器是未使用的。

这个寄存器存储了第一次出现不可纠正错误的访问的地址(位[63:32])。当 ECC 状态寄存器中的 UE_STATUS 位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的地址。复位后启用失败地址的存储。

UE_FFD[31:0]

这个寄存器存储了第一次出现不可纠正错误的访问的(未纠正的)失败数据(位[31:0])。当 ECC 状态寄存器中的 UE_STATUS 位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的数据。复位后,启用失败数据的存储。

UE_FFD[63:32]

这个寄存器存储了第一次发生不可纠正错误的访问的(未纠正的)失败数据(位[63:32])。当ECC状态寄存器中的UE_STATUS位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的数据。复位后启用失败数据的存储。

UE_FFE

这个寄存器存储了第一次发生不可纠正错误的访问的ECC位。当ECC状态寄存器中的UE_STATUS位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的ECC。复位后启用失败ECC的存储。

表1-42描述了当DQ_WIDTH = 72时寄存器位的使用情况。

FI_D0

这个寄存器用于在写入内存的数据(Bits[31:0])中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换相应的数据位(字0或Bits[31:0]),而不影响写入的ECC位。注入故障后,故障注入数据寄存器会自动清零。

该寄存器只有在Vivado IP目录中的MIG设计中,当C_ECC_TEST = "ON" 或 ECC_TEST_FI_XOR = "ON" 且 ECC = "ON" 时才会实现。

注入故障应该在软件中的一个关键区域进行;也就是说,写入这个寄存器和随后写入内存的操作不能被中断。

必须特别考虑 FI_D0、FI_D1、FI_D2 和 FI_D3,以便仅引入单一错误条件。
FI_D1

这个寄存器用于在写入内存的数据(位[63:32])中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换相应的数据位(字1或位[63:32])的后续写入内存的数据,而不影响写入的ECC位。注入故障后,故障注入数据寄存器会自动清零。这个寄存器只有在Vivado IP目录中的MIG设计中,如果C_ECC_TEST = "ON"或ECC_TEST_FI_XOR = "ON"且ECC = "ON",才会实现。注入故障应该在软件中的一个关键区域执行;也就是说,写入这个寄存器和后续写入内存的操作不能被中断。

FI_D2

注意:这个寄存器只有在DQ_WIDTH = 144时才使用。

这个寄存器用于在写入内存的数据(位[95:64])中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换相应的数据位(字2或位[95:64])的后续数据写入内存,而不影响写入的ECC位。注入故障后,故障注入数据寄存器会自动清零。

这个寄存器只有在Vivado IP目录中的MIG设计中,当C_ECC_TEST = "ON"或ECC_TEST_FI_XOR = "ON"且ECC = "ON"时才实现。

注入故障应该在软件中的一个关键区域执行;也就是说,写入这个寄存器和随后的写入内存的操作不能被中断。

特别注意,在 FI_D0、FI_D1、FI_D2 和 FI_D3 之间必须给予特殊考虑,以便只引入单个错误条件。
FI_D3

这个寄存器只有在DQ_WIDTH = 144时才使用。

这个寄存器用于在写入内存的数据(位[127:96])中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换相应的数据位(字3或位[127:96])的后续写入内存的数据,而不影响写入的ECC位。注入故障后,故障注入数据寄存器会自动清除。

该寄存器只有在C_ECC_TEST = "ON"或ECC_TEST_FI_XOR = "ON"且ECC = "ON"时,在Vivado Design Suite中的MIG设计中才实现。

注入故障应该在软件中的一个关键区域进行;也就是说,写入这个寄存器和随后写入内存的操作不能被中断。

FI_ECC

这个寄存器用于在写入内存的生成的ECC中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换下一次写入内存的数据的相应的ECC位。注入故障后,故障注入ECC寄存器会自动清零。

这个寄存器只有在Vivado IP目录中的MIG设计中,C_ECC_TEST = "ON" 或 ECC_TEST_FI_XOR = "ON" 且 ECC = "ON" 时才会实现。

注入故障应该在软件中的一个临界区域进行;也就是说,写入这个寄存器和随后的写入内存的操作不能被中断。

表1-48描述了当DQ_WIDTH = 72时,寄存器位的用法。

相关推荐
上理考研周导师3 小时前
第二章 虚拟仪器及其构成原理
fpga开发
FPGA技术实战4 小时前
《探索Zynq MPSoC》学习笔记(二)
fpga开发·mpsoc
bigbig猩猩15 小时前
FPGA(现场可编程门阵列)的时序分析
fpga开发
Terasic友晶科技20 小时前
第2篇 使用Intel FPGA Monitor Program创建基于ARM处理器的汇编或C语言工程<二>
fpga开发·汇编语言和c语言
码农阿豪21 小时前
基于Zynq FPGA对雷龙SD NAND的测试
fpga开发·sd nand·spi nand·spi nand flash·工业级tf卡·嵌入式tf卡
江山如画,佳人北望21 小时前
EDA技术简介
fpga开发
淘晶驰AK21 小时前
电子设计竞赛准备经历分享
嵌入式硬件·fpga开发
最好有梦想~21 小时前
FPGA时序分析和约束学习笔记(4、IO传输模型)
笔记·学习·fpga开发
檀越剑指大厂1 天前
【基于Zynq FPGA对雷龙SD NAND的测试】
fpga开发
9527华安2 天前
FPGA视频GTH 8b/10b编解码转PCIE3.0传输,基于XDMA中断架构,提供工程源码和技术支持
fpga开发·音视频·pcie·gth·xdma·pcie3.0