简易电路设计，PW1605芯片实现24V/30V/48V限流过压保护功能

一般描述

PW1605 是一款电流限制开关，具有可编程输入过压保护和输出电压箝位功能。集成保护 N 沟道 FET 具有极低的 RDS（ON）功能，PW1605有助于降低正常工作期间的功率损耗。可编程软启动时间控制启动期间输出电压的压摆率。独立的使能控制允许复杂的系统排序控制。该器件还集成了热关断保护。平芯微该器件采用小尺寸 QFN3×3-16 封装，可提供小 PCB 面积应用。

特征

l 4V至48V的宽输入电压范围，可耐输入浪涌电压高达60V
l 限流电流限值为 1A起。不超过 5安培。
l 集成保护开关的低 RDS（ON）：40mΩ
l 可编程软启动
l 可编程电流限制
l 具有可调阈值和自动恢复功能的输入过压保护
l 可编程输出电压箝位
l 封装：QFN3×3-16

应用

笔记本电脑
服务器

引脚排列

可在平芯微下载PCB焊盘封装

Absolute Maximum Rating

注 1：超出"MAX额定值"的压力可能会对设备造成不能恢复损坏。这些只是压力等级。不暗示设备在这些条件或超出规范操作部分中指示的任何其他条件下的功能操作。长时间暴露在MAX额定值条件下可能会影响设备可靠性。

注2：θJA是在TA = 25°C的自然对流下在JEDEC 51-3热测量标准的低有效单层热导率测试板上测量的。封装的引脚 1 是 θ JC 测量的外壳位置。

PCB 布局指南

为使 PW1605 获得最佳性能，必须严格遵守以下准则：1）保持所有电源走线（VIN / VOUT / GND）尽可能短和宽，并为所有电源走线使用至少 2 盎司铜.2）在所有电路下方放置接地层，以降低电阻和电感并改善直流和瞬态性能。

3）建议在 VOUT 和 GND 之间使用两个低 ESR 1μF MLCC.4）建议在 VOUT 和 GND 之间使用肖特基二极管.5）输入和输出电容器应贴近 PW1605 并连接到接地平面以减少噪声耦合。

产品

电气特性

应用信息

PW1605 是一款电流限制开关，具有可编程输入过压保护和输出电压箝位功能。集成保护 N 沟道 FET 具有极低的 RDS（ON）功能，有助于降低正常工作期间的功率损耗。可编程软启动时间控制启动期间输出电压的压摆率。

过流保护

当检测到过流情况时，对开关进行调节以实现恒定的输出电流。如果过流情况持续很长时间，并导致结温超过 150°C，则开关将被关断。一旦结温降至130°C，器件将重新启动。

输入过压保护和输出电压箝位

PW1605 是一款可编程电流限位开关，具有输入过压保护和输出电压箝位功能。

保护电压为：VOVP=1.2V×（R1÷R2+1）箝位电压为：VCLAMP=1.2V×（R3÷R4+1）

当输入电压小于VCLAMP且高于UVLO阈值时，输出电压跟踪输入电压，当输入电压小于VOVP并高于VCLAMP时，输出电压将调节在VCLAMP，如果输入电压高于VOVP，则过压保护处于主动状态以关闭电源FET。

软启动时间程序

推荐的电流软启动时间程序表

CSS和软启动压摆率计算的推荐公式：

电压环路软启动。

电流环路软启动。

其中，TSS_DLT是内部固定的默认软启动时间，约为 1.4ms，这意味着没有任何外部 CSST;IINT为内部电流源，约3.6uA;RUP 和 RLOW 是用于输出电压 OVP 或箝位设置的外部电阻器;RILMT是电流限制设置电阻器。

限流程序

电流限制可编程，以保护电源免受过流和短路情况的影响。将电阻 RILMT 从 ILMT 引脚连接到 GND 以设置电流限制：

RILMT （kΩ）=11000 **÷ILIM（**A）

电流限值为 1A起。不超过 5安培。

启用功能

PW1605 具有使能引脚 EN，可用于使能或关闭器件。下拉 EN 引脚以关闭器件，然后关闭电源 FET。拉起 EN 引脚以使能器件，如果没有发生任何保护，则打开电源 FET。

电源滤波电容

为了防止热插拔事件期间输入电压下降，强烈建议使用两个 1uF 陶瓷电容器，然而，更高的电容值可以进一步降低输入端的电压下降。此外，输出短路将导致在没有输入电容的情况下输入振铃。当输入瞬态浪涌电压超过MAX电源电压时，即使在短时间内，它也会损坏内部电路。

输出滤波电容

建议将 1uF 输出陶瓷电容器放置在靠近 IC 和输出连接器的位置，以减少负载瞬态期间的压降。可以使用更高的输出电容值来进一步降低大电流应用期间的压降。如果输出端子连接长电缆，建议在输出端子上放置一个反并联肖特基二极管或100V/10uF电解电容器，以吸收电缆电感引起的负振铃。