3500字，依公知及经验整理，原创保护，禁止转载。专栏 《深入理解DDR》
1 DDR5 颗粒 X4 X8 X16
这里的 X8 or X16， 可以理解为一个DRAM芯片有几个存储阵列。"X几"。进行列寻址时会同时从几个阵列的同一个坐标位置读出数据bit来，X4 就读出4位，x8 就读出8位。
大白话就是： 就是几根数据线， x8,就是颗粒有8根数据线 （DQ0 ~ DQ7）， X16 就是颗粒有16根数据线 （DQ0 ~ DQ15）。
这个数字越大，表示位宽越大， 同一时刻存取的数据就多了。
2 DDR5芯片引脚排布
DDR5芯片封装采用BGA封装。
X8 颗粒纵向有13 行（lin A ~ N）， 横向有 9 列（1 ~ 9， 其中1/2/3 和 7/8/9 有填充锡球， 4/5/6 没有填充锡球）。
3 引脚说明
下图的引脚行号和列号和上图对应，对照这个就知道每个引脚的功能。
数据线
3.1 DBI_n
是一个输入/输出，用于标识是存储/输出原始数据还是反转数据。翻转就是每个bit和原始数据反过来（0 -> 1, 1 -> 0），如果DBI_n为低电平，则数据将在 DDR5 SDRAM 内反转后存储/输出，如果DBI_n为高电平，则不会反转。
为什么要翻转？
通过发送端数据翻转使较少的数据位为低电平,从而使系统功耗更低。
3.2 DM_n
数据掩膜功能也称为部分写。只支持x8和x16配置。DM功能与DBI和TDQS功能共用相同的管脚。DM功能只用于写操作，且不能与写DBI功能同时使能。比如X16, host 每次发 16 bit, 但可能只想其中的 8 bit 写到内存，就可以带上 DM_n 实现部分写。
3.3 DQ
数据线， 可以输入输出， 是双向的
数据输入/输出：双向数据总线。
3.4 DQS_t、DQS_c、DQSU_t、DQSU_c、DQSL_t，DQSL_c
数据选通信号。DQS_t/DQS_c、DQSL_t/DQSL_c和DQSU_t/DQSU_c是三组差分对信号。
3.5 TDQS_t，TDQS_c：
终端数据选通
命令/地址、控制、时钟
3.7 CK-t, CK-c
这是时钟信号， 这两个信号是差分信号，即CK_t 和 CK_c 永远是相反的。
差分信号（Differential signal）是指一对相互反向但又有关联的电信号。差分信号具有抗干扰、抑制共模干扰、提高信号完整性等优势，被广泛用于高速数据传输。
CK# (CK_c）的作用，是起到触发时钟校准的作用。由于数据是在 CK 的上下沿触发，要求 CK
的上下沿间距要有精确的控制。但因为温度、电阻性能的改变等原因，CK 上下沿间距可能发生变化，此时与其反相的 CK#就起到纠正的作用（CK
上升快下降慢，CK#则是上升慢下降快）。而由于上下沿触发的原因，也使 CL=1.5 和 2.5 成为可能，并容易实现。
原文： https://blog.csdn.net/xuhao0258/article/details/120306591
3.8 CS_n
片选信号，低电平选中。 引脚里带 "_n" 都是低电平有效， 反之高电平有效。当有多个RANK 时候， 可以通过 CS_n 选中不同 Rank
3.9CA
命令/地址输入，CA 信号根据命令真值表提供命令和地址输入。
3.10Reset_n
低电平硬件复位信号.
Reset_n将使DDR的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时，DDR5 内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR5内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，且所有内部的程序装置将复位。
3.11ALERT_n
警报，含有 CRC 或是命令、地址校验错误
具有CRC错误标志，命令和地址奇偶校验错误标志等多种功能作为输出信号。如果存在错误，则Alert_n变为 LOW。如果未作为信号连接，则ALERT_n引脚必须绑定到板载的 VDD。
3.12TEN
连接测试模式启用：它是一种CMOS轨到轨信号。该引脚可以通过一个弱下拉电阻器在内部将DRAM拉低至VSS。
3.13 MIR
通知系统此设备正在引脚镜像模式下运行, 而非标准模式下运行。如果不需要 CA 镜像，则 MIR 引脚必须绑定到 VSSQ。
从DDR5开始引入物理管脚来管理，通知DRAM颗粒它的双数CA和下一个单数CA进行了swap，
至于要做管脚mirror的原因，是两rank下fly by安装模式的时候，为了CA信号能够尽可能地走线短，减少绕线复杂度，优化信号质量。
原文链接：https://blog.csdn.net/m0_61126667/article/details/131947788
3.14 CAI
命令和地址翻转， 将CAI引脚连接到VDDQ后，DRAM在内部反转所有CA信号上的逻辑电平。
3.15 CA_ODT
（On-Die_Termination, 片内终结）如果引脚连接到 VDD， 启用CA_ODT， 如果引脚连接到 VSS， 禁用 CA_ODT.
电源和参考引脚
3.16 VDDQ
DQ 电源：1.1 V +/- 0.055 V
3.17 VSSQ
DQ接地
3.18 VDD
电源power supply, 1.1 V +/- 0.055 V
3.19 VSS
接地
3.20 VPP
DRAM 激活电源：标称 1.8V、最小值 1.71V、最大值 1.98V
3.21 ZQ
用于 ZQ 校准的参考引脚
ZQ 在ZQ这个引脚上接有一个 240 欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ ODCE
，On-DieCalibrationEngine ）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与 ODT 的终结电阻值。 当系统发出这一指令之后，
将用相应的时钟周期 （在加电与初始化之后用 512 个时钟周期，在退出自刷新操作后用 256 时钟周期、在其他情况下用
64个时钟周期）对导通电阻和 ODT 电阻进行重新校准。
ODT是终端匹配，那就是要在你的信号线终端上拉一个电阻，但是这个内部电阻随着温度会有些细微的变化，为了保证信号被准确的进行终端匹配，就需要ZQ了，ZQ的作用就是使用你外面连接的，高精度240R电阻来对这个内部的电阻进行校准。
原文链接： https://blog.csdn.net/xuhao0258/article/details/120306591
2.4 DDR 接线
参考
