一些硬件知识【2024/12/6】

MP6924A:

正点原子加热台拆解:

PMOS 相比 NMOS 的缺点:

缺点 描述
迁移率低 PMOS 中的空穴迁移率约为电子迁移率的 1/3 到 1/2,导致导通电流较低。
开关速度慢 由于迁移率较低,PMOS 的开关速度比 NMOS 慢,不适合高速数字电路。
功耗更高 为达到相同的驱动能力,PMOS 通常需要更大的尺寸,导致功耗增加。
成本更高 更大的晶体管尺寸和芯片面积使得 PMOS 电路的制造成本更高。
阈值电压更高 PMOS 的阈值电压通常较高,不适合某些低电压应用场景。
隔离复杂 PMOS 需要 N型衬底隔离,而 P型衬底更为常见,增加了制造复杂性。

示波器怎样测量电源上电时序?

BMS一个建议:

首先低功耗设计有问题,系统休眠要考虑休眠功耗,虽然MPS的芯片功耗我看了2ua,但是LDO选的功耗并不低,一般都是休眠用AFE给mCU供电,正常工作时候启动DCDC,其次BMS要考虑充电激活,按键激活,要根据MCU的休眠模式,接wkup脚或者常规中断,其次采样线要注意最低和最高节要从电池PACK中JER取,和动力线B+和B-单点接,大电流的场景下,不要把动力线B+和B-充当采集线,再个不知道应用场景如何,这个管子数量肯定不够的,不管是短路能量EJ还是常规发热,后端大电容预充也要考虑,应该没做过完成的BMS产品,不过就新手来说,也不错,值得鼓励

晶振也有专门的芯片,一个主时钟源进去,多路时钟出来,类似电源的PMIC:

电流霍尔传感器:

电流霍尔传感器利用霍尔效应来检测电流的大小和方向,是一种非接触式的电流测量装置。

将流过IP引脚的电流产生的磁场,进行转换,从OUT输出一个电压表示流过芯片的电流:

没有电流流过的时候,OUT输出2.5V,正好是芯片供电电压的一半:

流过1A的时候OUT电流是2.54V:

流过电流2AOUT电流是2.58V:

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