"低漂移 0.8 ppm/°C（典型值），1.5 ppm/°C（最大值）"是 GM7402 最核心的技术指标之一，反映了它的温度稳定性（Temperature Coefficient of Output Voltage, TC₍Vₒ₎）。
ppm/°C、PPM
"PPM" 是 "Parts Per Million" 的缩写，中文意思是 "百万分之一"。这是一个常用的相对比率单位，用来表示极小的误差、浓度或漂移量。它相当于：
"温漂"表示当环境温度变化时，基准电压输出的偏移量。 以 ppm/°C 为单位（百万分率每摄氏度），定义为：
假设输出 Vout = 2.5 V，温度范围 --55 °C → +125 °C（ΔT = 180 °C）
典型漂移 0.8 ppm/°C：
最大漂移 1.5 ppm/°C：
在从 --55°C 到 +125°C 的极端环境变化中，输出电压的漂移仅为 ±0.36 ~ 0.68 mV
PPM对比
横轴：温度（-40°C 到 +140°C）
纵轴：输出电压变化量（单位 µV，相对于 25°C 的参考点）
可以看到：
1 ppm/°C 的漂移极小，几乎是一条平线；
100 ppm/°C 则随温度变化明显
基准源对比
| 对比对象 | 温漂等级 | 实际表现 | 应用领域 |
|---|---|---|---|
| 一般工业级基准（如 TL431） | 30--100 ppm/°C | 温度变化几乎毫伏级漂移（数十 mV） | 电源参考 |
| 高精度带隙（如 ADR445、REF5050） | 2--3 ppm/°C | 全温区漂移 1 ~ 2 mV | 工业/仪表 |
| GM7402（深埋齐纳） | 0.8--1.5 ppm/°C | 全温区漂移 < 1 mV | 实验室级/医疗/车规 |
为什么能做到 0.8 ppm/°C
GM7402 相比前代（GM7400/7401 约 1.5 ppm/°C typ）能进一步降低温漂，关键在于：采用深埋齐纳（Buried Zener）核心：齐纳击穿电压在特定电流下对温度几乎不敏感（天然接近平坦曲线）。
深埋齐纳二极管（Buried Zener Diode）是一种专门设计的 高稳定性参考二极管结构，用于提供极其稳定的基准电压；它是通过在硅片内部深层掺杂与隔离结构实现的 "埋入型齐纳结"，与普通表面齐纳有本质不同。普通齐纳（表面型）是在硅片表面形成 PN 结；深埋齐纳， 是把齐纳结"埋"在基片下面（通常深几微米），远离表面电荷与氧化层界面，从而：降低噪声；提高温度稳定性；抑制老化与漂移。
深埋齐纳的核心优势在于其零温度系数点（ZTC，Zero Temp Coefficient Point）。
击穿电压受两种效应影响：
- 齐纳效应（隧穿击穿）：电压随温度上升而略减小；+
- 雪崩效应（碰撞电离）：电压随温度上升而略增加；
在 约 6.8 V 附近，两种效应抵消 → 温度漂移趋近 0；因此，深埋齐纳基准通常工作在 6.9 V 附近，再经分压放大或缓冲输出为常见的 2.5 V、5 V 等精密基准电压。
这方面的佼佼者是：
温漂0.05ppm/ºC
内部电路：
齐纳二极管 + 晶体管 Q1→ 二者形成温度互补组合，输出稳定电压。
Q2 是温度传感器，用来检测芯片内部温度，控制加热器。
芯片内部还有寄生二极管，用来隔离加热电流对参考区的干扰。
多个绿色环形结构围绕中央核心，这些绿色环是 加热电阻环（heater rings）：
外层两圈并联形成主加热器；
内层四圈可独立控制；
内外环之间通过键合点串/并连接，便于温控优化；
右上角另有一块基板接触垫，用于监控加热均匀性。这些环状加热结构能实现极低的温度梯度（≈0.01°C），确保齐纳与晶体管在完全一致的温度下工作。
蓝色点：晶体管 Q1 的发射极；
黑色环：Q1 的基极（也是齐纳阳极）；
红线：齐纳阴极；
白线：Q1 集电极；
黄色/灰色线：温度检测晶体管 Q2。
齐纳结（雪崩击穿）与 Q1 的 BE 结（负温度系数）互相补偿；组合输出约 7V，温漂几乎为 0；两者必须紧贴放置以维持温度一致；齐纳为深埋式（Buried Zener），避开表面杂质与氧化界面，降低长期漂移。
利用齐纳击穿的正温度系数与晶体管 BE 结的负温度系数相互补偿，实现几乎零温漂的输出电压。
| 元件 | 颜色标识 | 功能 |
|---|---|---|
| 蓝色点 | 晶体管 Q1 的发射极（Emitter） | 输出参考电压 |
| 黑色环 | Q1 的基极，同时也是齐纳二极管的阳极 | 热、电信号耦合中心 |
| 红色线 | 齐纳阴极 | 击穿区输出端 |
| 白色线 | 晶体管集电极 | 提供偏置电流路径 |
| 黄色/灰色线 | Q2 温度传感器（周边四个晶体管） | 控制内部加热温度 |
整个结构呈 同心环布局：
中心：Zener + Q1 组合；
外圈：4 颗 Q2 温度监测晶体管；
更外圈：加热环（见前面的图）；
所有结区被 粉红色的 P-N 隔离框 环绕，用以电隔离并减少漏电流。
总结
GM7400（1.5 ppm/°C）：漂移曲线斜率最大，温度变化 180 °C 时约 ±0.68 mV。GM7401（1.35 ppm/°C）：略优，漂移减少约 10--15%。
GM7402（0.8 ppm/°C，深埋齐纳架构）：曲线几乎水平，全温区漂移仅 ±0.36 mV。
随着架构演进（带隙 → 低压带隙 → 深埋齐纳复合），温度稳定性提升约 2 倍。