高速串行SPI SRAM易失性存储器解决方案

很多单片机(MCU)在进行数据采集、图像处理或协议转换时,经常会遇到内置RAM容量不够用的尴尬。虽然可以外扩内存,但传统并口SRAM往往需要占用大量I/O引脚,对于本就管脚紧张的小型MCU来说,布线成本和PCB空间都有点吃不消。所以通过串行接口来扩展片外RAM,就可以很好地兼顾容量与引脚开销。而SPI SRAM(串行静态随机存取存储器)正是这种场景下的理想选择。

相比并行SRAM,SPI SRAM仅需4根信号线(时钟、数据输入、数据输出、片选)即可完成通信,大大节省了MCU的宝贵引脚资源。同时,SPI SRAM保留了传统SRAM的随机存取、无需刷新、读写速度快等优点,非常适合作为数据缓存、帧缓冲或网络协议栈的内存池。目前市面上已有不少国产SPI SRAM方案,性价比和供货稳定性都表现出色。

通过MCU的标准SPI外设即可访问该存储器。所需总线信号非常简单:时钟线(SCK)、数据输入(SI)、数据输出(SO)以及片选(CS)。MCU只需发送标准的读/写指令和目标地址,SPI SRAM芯片便会自动完成内部存储阵列的操作,使用起来和操作普通SPI Flash一样简单,但速度更快、且无需擦除。

以英尚微电子代理的EMI公司型号EMI7008WSMI为例,这是一颗采用低功耗CMOS工艺的串行SPI SRAM,容量为8Mbit(即1M字节)。它支持2.7V~3.6V宽电压工作,时钟频率最高可达50MHz,并兼容标准SPI与QPI(四线SPI)两种接口模式------既可以用传统的SI/SO分离双线传输,也可配置为4位I/O双向传输,提升吞吐量。

SPI SRAM芯片内置了完整的刷新管理逻辑,外部主控无需额外操作即可直接读写任意地址。封装方面SPI SRAM EMI7008WSMI采用常见的8引脚SOP-8,占板面积很小,焊接方便。EMI7008WSMI的工作温度范围覆盖-40℃至85℃,满足工业级应用需求。

英尚微电子作为EMI公司的一级代理商,能够提供从选型指导到应用支持的完整SPI SRAM存储器解决方案。该系列SPI SRAM芯片具有低功耗、小尺寸、高可靠性的特点,在物联网终端、工业控制器、便携设备等领域获得了大量实际应用验证。如果您正在为MCU寻找经济灵活的大容量RAM扩展方案,可以关注英尚微电子网站的产品中心页面,获取更多技术资料和样品支持。

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