ISSI的常规SRAM（23xx、62xx、71xx系列）是易失性的，本身不存数据。ISSI SRAM设备要在掉电瞬间保住关键参数、计数器、日志、配置字，靠的是「SRAM+电池备份」这套经典架构：
-SRAM正常工作时由主电源（VCC）供电；
-板上加一颗纽扣电池超级电容，加上电源切换电路；
-主电源掉到阈值以下时，切换芯片把SRAM的VCC切到备用电池，电流进入µA级，数据靠电池维持5～10年。
用非易失存储替换ISSI SRAM「SRAM+电池」组合类型：
nvSRAM（非易失SRAM）：原理是SRAM单元+内置SONOS/铁电shadow速度在25～45 ns，几乎等同SRAM，拥有无限次读，写寿命10⁶～10⁷次可以直接顶替SRAM，免外部电池；
STT-MRAM（自旋转移力矩MRAM）：原理是磁隧道结（MTJ）存数据，磁化方向即存储速度在35～45 ns，与SRAM同级，拥有几乎无限次写入，无磨损，可以直接顶替SRAM，免外部电池。
两者的共同特点：
-掉电数据写在芯片里，不需要外部电池、不需要切换电路；
-上电即用、无初始化延迟、没有电池电量监控逻辑；
-NETSOL MRAM写入寿命数量级高于传统battery-backed SRAM，没有5年换电池的现场维护成本。
RAMSUN长期做NETSOL MRAM接口/存储国产替代，为工业、轨交、电力、医疗、车规等对掉电保护要求高的领域做选型支持。
-接口：SPI/QSPI/Parallel多种；
-容量：常见1Mbit/4Mbit/8Mbit/16Mbit，覆盖23LC系列常用档位；
-封装：SOIC、TSOP、TSSOP等与ISSI主流料兼容；
-特性：无限次读写、8/16/32 bit访问、宽温-40℃～+85℃（部分型号-40℃～+125℃）。