单片机内存在C 语言编译后的 “逻辑分区”

一、单片机内存两大物理大类

1. Flash（程序存储器 / ROM 类）

掉电不丢数据
存放：程序代码 + 常量
速度：比 RAM 慢，擦写次数有限（几万～几十万次）

2. RAM（数据存储器，一般是 SRAM）

掉电数据全丢
存放：运行时变量、堆栈、临时数据
速度：快，可频繁读写

一句话：代码常量在 Flash，变量运行在 RAM

二、C 语言编译后，内存的 "逻辑分区"

不管是 STM32、GD32、ESP32，编译后都分成这几个段（Section）：

1. .text 段（代码区）

位置：Flash
内容：所有函数的机器指令（main、中断服务函数、子函数...）
属性：只读，不可改

2. .rodata 段（只读常量区）

位置：Flash
内容：
- const 全局常量
- 字符串常量（"hello"）
属性：只读，运行时不能写

3. .data 段（已初始化全局变量区）

位置：运行时在 RAM
内容：全局 / 静态变量，且初始值非 0

int g_val=100; // 进入 .data
启动时：Flash 里的初始值会复制到 RAM

4. .bss 段（未初始化 / 零初始化全局变量区）

位置：RAM
内容：

int g_buf[1024]; // 默认0，进 .bss
static int s_cnt; // 也是 .bss
特点：不占 Flash ，启动时由代码自动清零

5. 栈（Stack）

位置：RAM
内容：
- 局部变量
- 函数参数
- 函数返回地址、中断现场
管理：自动分配 / 自动释放，大小固定（如 8KB），溢出会死机

6. 堆（Heap）

位置：RAM
内容：malloc/free 动态申请的内存
管理：手动申请、手动释放；不释放会内存泄漏

三、一张表

段名	物理位置	存放内容	读写	掉电
.text	Flash	程序代码	只读	不丢
.rodata	Flash	常量、字符串	只读	不丢
.data	RAM（来自 Flash 拷贝）	非 0 初始化全局变量	可读可写	丢失
.bss	RAM	未初始化 / 零全局变量	可读可写	丢失
Stack	RAM	局部变量、函数调用	读写	丢失
Heap	RAM	动态内存（malloc）	读写	丢失

四、32 位单片机内存布局

复制代码

Flash 空间（从低到高）
├── .text      代码
└── .rodata    常量

RAM 空间（从低到高）
├── .data      已初始化全局变量
├── .bss       零初始化全局变量
├── Heap       堆（向上生长）
└── Stack      栈（向下生长，顶在高地址