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| 层级 | 含义 |
| Cell | 一个 NAND 存储单元，通常是一个浮栅/电荷俘获晶体管 |
| String | 多个 Cell 串联形成一条 NAND String |
| Page | 多条 String 中同一条 Word Line 上的单元组成 Page，是读/写的基本单位 |
| Block | 多个 Page 组成 Block，是擦除的基本单位 |
| Plane | 多个 Block 组成一个 Plane，Plane 有独立的部分外围电路 |
| Die | 一个 NAND 晶粒，内部包含一个或多个 Plane |
1. NAND Flash
**定义：**NAND 型非易失性闪存，靠浮栅层俘获电子存储数据，断电数据不丢失，是 SSD 的核心存储介质。
（江波龙NAND Flash颗粒）
2. Cell（存储单元）
**定义：**NAND 最小物理存储单位，即单个浮栅 / 电荷捕获晶体管，通过电子数量对应二进制数据。
3. SLC / MLC / TLC / QLC / PLC
定义：单单元比特数分级，分别存储 1/2/3/4/5bit 数据；从左到右密度递增、成本递减、寿命递减、误码率递增。
SLC/MLC/TLC/QLC/PLC 物理上都是一个浮栅晶体管 。注意：电子数量 ↔ 阈值电压（Vth）
浮栅无俘获电子 = 擦除态 = 逻辑 1
浮栅俘获大量负电子 = 编程态 = 逻辑 0
写入（编程）本质：通过隧穿把电子 "充进" 浮栅；擦除是把电子从浮栅 "抽走放电"
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| 类型 | bit/cell | 状态数 | 成本 | 速度 | 寿命 | 适合场景 |
| SLC | 1 | 2 | 最高 | 最快 | 最长 | 工业、车规、企业级缓存 |
| MLC | 2 | 4 | 高 | 快 | 长 | 高端 SSD、企业级存储 |
| TLC | 3 | 8 | 中 | 中 | 中 | 主流消费 SSD、手机、U 盘 |
| QLC | 4 | 16 | 低 | 慢 | 短 | 大容量、低成本、读多写少 |
| PLC | 5 | 32 | 最低 | 最慢 | 最短 | 未来超大容量冷数据存储 |
4. 3D NAND
定义：垂直堆叠存储单元的第三代 NAND 技术，替代平面 2D NAND，大幅提升容量密度、降低单位成本。主流为 200 层 +，代表架构如三星 V-NAND、铠侠 BiCS、长江存储 Xtacking。
5. Floating Gate（浮栅型）/ Charge Trap（电荷捕获型）
定义：两种存储电子的物理结构：
- 浮栅：多晶硅导电层存储电子，传统 2D NAND 主流
- 电荷捕获：氮化硅绝缘层捕获电子，3D NAND 主流，可靠性更高
6. String（存储串）
定义：几十个 Cell 首尾串联组成的最小电路单元，3D NAND 中为垂直柱状结构。
7. Page（页）
定义 ：NAND最小读写单位，同一字线横跨所有 String 的 Cell 集合；主流容量16KB/32KB/64KB，只能整页读写，无法单字节修改。
8. Block（块）
定义 ：NAND最小擦除单位 ，由 256/512/1024 个 Page 组成；擦除只能整块执行，无法单页擦除。
9. Plane（平面）
定义：Die 内部独立存储分区，自带独立读写控制电路，多 Plane 可并行执行操作。
10. Die（晶粒 / 裸片）
定义：从硅晶圆切割下的完整存储芯片，内含多个 Plane/LUN + 外围控制电路，是独立完成存储功能的最小完整单元。
11. LUN（逻辑单元号）
定义：Die 内部可独立寻址、独立执行命令的最小单元，1 个 Die 可包含 1/2 个 LUN。
12. Wafer（晶圆）
定义：制作 NAND 的圆形硅片，一片晶圆可切割出数千颗 Die。
13. Program Disturb（编程干扰）
定义：对某一页写入时，高压会轻微影响同一块内其他未选中页的电子，导致数据缓慢偏移。
14. Read Disturb（读干扰）
定义：反复读取某一页时，会轻微干扰同一块内其他页的电子，长期可导致数据错误。
15. Erase Fail / Program Fail
定义：擦除失败 / 编程失败，指 Block 无法完成擦除或写入操作，是坏块的核心判定标准。