MgB的表征技术总结

表征

Scanning electron microscopy (SEM):扫描电子显微镜,观测微米 / 纳米级表面形貌、晶粒、掺杂颗粒分布

X-ray diffraction (XRD):X 射线衍射,物相定性、晶体结构表征核心设备

resistivity-temperature**(ρ-T) curve**:电阻率 - 温度曲线,升温 / 降温测试电阻随温度变化的曲线,用于判定Tc​

性能指标

transition temperature (Tc):超导转变温度,超导材料由正常电阻态突变为零电阻的临界温度

wt%:质量百分比(weight percent),材料掺杂配比标准单位

理论密度(2.63 g/cm3)

描绘名词

homogeneous distribution:均匀分布

Spark Plasma Sintering (SPS):放电等离子烧结,快速致密化烧结工艺

固相烧结工艺(solid state sintering technique)制备的样品致密度偏低