本节以 DNPC 拓扑为参照，对TNPC拓扑展开对比分析如下：
4.1 器件数量与指标不同
TNPC与DNPC相比，单桥臂功率器件数量更少，TNPC仅需4个IGBT，每个IGBT配套一个续流二极管。DNPC则是同样需要4个IGBT以及各自的续流二极管，此外还有2个钳位二极管。DNPC所需器件数量更多。
然而，TNPC的两个开关管（S1、S4）需承受整个直流电压，高承压一方面对该器件的额定电压指标要求更高，另一方面带来了更高的导通损耗和开关损耗。从而S1和S4的开关损耗与导通损耗会远远高于S2/S3，器件发热差距明显，不利于散热。
相对的，DNPC所有IGBT都只需要承受直流电压的一半。然而，由于器件参数的离散可能会导致出串联器件分压不均，存在瞬时过压的风险。因此，一1200V的IGBT的应用场景为例，工程上常选用2个650V的IGBT串联使用，预留电压裕量。
基于这两种拓扑器件分压的特性，需根据IGBT的装配形式选型：若采用集成多管功率模块，由于内部芯片的特性一致性更高，串联均压效果浩，可优先选用DNPC。而若采用分立单管搭建主回路，器件参数离散度更高，串联均压难度高，更适合选用TNPC拓扑，规避串联不均压带来的器件损坏风险。
4.2 封波时序
无论是ANPC还是DNPC，两者对封波时序都有要求，即先断外管，再断内管。而TNPC对封波时序要求不高，同时封波并不会造成功率器件的损坏。因此，对于故障的响应也能更快一下。
由于一般情况下，DSP的内部PWM模块只能配置成周期死区，无法实现在故障瞬间分时封波延时。因此，在DNPC架构下，工程上多使用CPLD硬件逻辑捕获故障信息，实现分时封波时序。而TNPC则可直接利用DSP自带的PWM模块即可实现封波逻辑，无需额外配置CPLD。
这使得相较于DNPC，TNPC在成本上还是有一定优势的。
4.3 驱动电源
DNPC拓扑每相各有4个功率开关，且其驱动电位各不相同，因此DNPC的单桥臂需要四个隔离电源，三相则共需12个隔离电源。
相对而言，DNPC拓扑的两个横管（S2/ S3）是共发射极的，因此可共用同一驱动电源。因此DNPC的单桥臂只需要三个隔离电源，三相则共需9个隔离驱动电源。
同时，TNPC的两只横管并不会在同一时间内高频斩波，因此无需对驱动电源的容量进行扩容。
4.4 换流通道
在TNPC拓扑结构中，内外管之间的换流通道唯一，其换流通道的长度是固定的。而DNPC则存在长短两种换流通路，尤其是SVG等应用工况下，长短两种换流通道会在一个工频周期内交替出现。
因此，针对DNPC的双脉冲试验，仅靠一种工况的测试波形时无法完整覆盖两类换流路径的，因此测试流程更为繁琐。
4.5 Si/SiC混合
在T型三电平电路中，由于S1、S4的电压应力为整个直流母线电压，使得S1、S4上的开关损耗远大于S2、S3。因此，若S1、S4采用SiC MOSFET，能够有效降低开关损耗。同时，由于SiC体二极管的反向恢复损耗极小，因此，二极管的反向恢复损耗也得到了明显的降低。